总投资30亿！这个第三代半导体器件项目预计年底投产

总投资30亿！这个第三代半导体器件项目预计年底投产

近日，据报道，总投资30亿元的华瑞微半导体IDM芯片项目从签约到开工建设仅用不到3个月时间，预计年底正式投产。

项目于2020年10月28日奠基，是浦口—南谯合作产业园区首个落户项目。项目主要承担第三代化合物半导体器件的研发及产业化，建设SiC MOSFET生产线。

项目一期用地100亩，6万平米的生产厂房预计今年5月封顶，年底正式投产。据悉，建成后，将形成年产1万片第三代化合物半导体器件的生产能力，年销售额可达10亿元。

南京华瑞微2018年落户江苏南京浦口高新区，为市场贡献了超过15万片晶圆。华瑞微超结MOS产品已经稳定向充电桩客户供货，第二代SiC MOSFET已研发成功，小批量试产。

文稿来源：化合物半导体市场，Amber整理

图片来源：拍信网

第三代半导体南方重镇—东莞

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