化合物半导体大事记之2019年：碳化硅的巨大注额

化合物半导体大事记之2019年：碳化硅的巨大注额 收录于话题 #SiC 12 #LED 24

在2019年春季，SiC衬底材料和各种光电、射频和功率器件的开发商Cree以醒目的方式重新调整了自己的业务。这家公司相对较新的首席执行官格雷格·洛毫（Greg Lowe）毫不犹豫地将公司的照明产品部门卖给了理想工业公司(Idea Industries)，他把给公司带来多年成功的LED业务放在了次要位置，转而去专注于宽带隙材料以及射频和功率器件的开发和研究。

促使做出这一重大决定的是一些利润丰厚的碳化硅晶圆供应协议：与英飞凌(Infineon)、意法半导体(St Microlectronics)和其他公司签订的合同，这些合同的总额高达5亿美元。

到2019年夏天，Cree的LED业务已经疲软，并净赚了3.1亿美元出售给Ideal的大部分股份。这些情况将帮助Greg Lowe推进他的愿景，投资10亿美元大规模扩大SiC产能。到2024年，将建成一个最先进的200毫米SiC晶圆生产设备和厂房，其与2017年第一季度相比，产能将扩大30倍。

那年晚些时候，Cree收到了一份无法拒绝的提议，纽约州提供了5亿美元的拨款。该公司不必再花费4.5亿美元去翻新其位于北卡罗来纳州达勒姆总部的现有设备和厂房，而是现在可以仅需投资1.7亿美元，在纽约马西建造一座新的汽车认证合格的200 mm功率和射频晶圆制造和加工工厂。

新建的厂房将于2022年建成并投入使用，最初使用150 mm晶圆，两年后再过渡到200 mm的晶圆。在这之前，总部的产能也正在不断增加。

自宣布这些消息以来，来自利润较低的LED产品线的收入比例持续下降，而来自WolfSpeed部门（它包括SiC晶圆、电力电子和射频器件）的收入却是一直在增长。目前，由于新冠肺炎疫情和与中国的贸易限制，Cree的销售受到了一定的打击，但Cree的长期前景还是非常非常的好。

在纽约州5亿美元资金的支持下，Cree/Wolfspeed正在纽约州马西市建立一个新的汽车认证的200毫米功率和射频晶圆制造工厂，该工厂将于2022年投入使用。

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