JEDEC发布首个SiC电力电子器件标准

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指南解决了准确测量SiC MOSFET阈值电压的问题。

JEDEC固态技术协会宣布发布JEP183:《SiC MOSFET的阈值电压(VT)测量指南》。

该出版物针对SiC MOSFET的独特性能，解决了准确测量SiC MOSFET的阈值电压(VT)这一关键课题。

JEP183中提供的阈值电压测试方法可作为测量SiC功率器件VT的通用行业指南，重点是N沟道垂直结构MOSFET技术，为SiC MOSFET市场提供了通用基准。

为了保证灵活性，提供了三种测试方法，可应用于数据表、工艺控制、技术开发、最终测试等用途。阈值电压是评估电压和/或温度应力等物理刺激特性变化的关键参数。如果不能准确测量VT，就无法监测施加在器件上的应力如何改变器件特性。SiC MOSFET的SiC/SiO2界面比Si/SiO2界面更复杂，就特性变化监测而言，就需要仔细处理器件中的陷阱。

"JEP183推荐了对SiC MOSFET VT进行精确和可重复测量的方法，这将有助于确保SiC器件在汽车和工业市场的成功施用，"Wolfspeed公司功率模块产品营销工程经理、JC-70.2小组委员会主席Jeffrey Casady指出。

"JEDEC的JC-70委员会很高兴将JEP183添加到其不断扩大的出版物生态系统中。有了这第一份与SiC相关的文件，我们就拉开了一系列指南的序幕，以解决行业以统一的标准要求开展工作。"英飞凌科技SiC副总裁、JC-70.2小组委员会副主席Peter Friedrichs说。

关于JC-70

JC-70于2017年10月由23个成员公司组成，目前拥有60多个成员公司。

来自美国、欧洲、中东和亚洲的跨国公司和技术初创公司正在共同努力，为业界带来一套关于宽带隙功率半导体的可靠性、测试和参数的标准。

委员会成员包括功率GaN和SiC半导体的行业领导者，以及宽带隙功率器件的用户、测试和测量设备供应商。来自大学和国家实验室的技术专家也会提供意见。

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