【行家快报】出新、合作！罗姆、三菱、安森美新动作值得关注

第三代半导体风向 · 2021-02-19

安森美半导体发布新的650 V碳化硅 MOSFET

2月18日，安森美半导体发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。

安森美半导体新的车规AECQ101和工业级合格的650伏(V) SiC MOSFET基于一种新的宽禁带材料，提供比硅更胜一筹的开关性能和更好的热性能，因而提高系统级能效、功率密度，及减小电磁干扰(EMI)、系统尺寸和重量。

新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，可在650 V击穿电压下实现同类最佳的品质因数Rsp（Rdson * area）。采用D2PAK7L和To247封装的NVBG015N065SC1，NTBG015N065SC1，NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1具有最低的Rdson（12 mOhm）。

Midnite Solar利用罗姆的碳化硅MOSFET降低系统成本

罗姆半导体公司近日宣布，位于华盛顿州阿灵顿的各种替代能源产品的领先生产商Midnite Solar成功利用罗姆的碳化硅MOSFET以提高效率并降低系统成本，向美国市场推出了四款新产品– Hawkes Bay 600VDC至48VDC 的6000W MPPT太阳能充电控制器，功能强大的Barcelona双MPPT充电控制器，MNB17先进的基于电池的充电器/逆变器以及120/240V Rosie逆变器/充电器——这些产品均得益于高功率ROHM SiC技术的高性能以及稳定性。

Midnite Solar在其新的太阳能产品系列中整合了ROHM的60mΩR DS（on） SiC器件和新一代的30mΩR DS（on）产品。Gudgel评论说，他希望该器件的可靠性能够展现出良好冷却散热效能。由于ROHM还提供了栅极驱动器，因此驱动零件非常简单。

三菱电机扩大Ku波段GaN HEMT产品范围

2月17日，三菱宣布，该公司的GaN HEMT产品线将增加两个新的13.75–14.5 GHz（Ku波段）30W（45.3dBm）氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）产品，用于卫星通信（SATCOM）地球站。这两款产品，一种用于多载波1通信，另一种用于单载波2通信，将支持更大的数据传输容量和更小的地球站。产品将于3月15日开始销售。

Ku波段卫星系统越来越多地用于自然灾害期间的紧急通信，用于无有线电视网络的偏远地区的电视广播公司的卫星新闻采集（SNG）。同时，除了传统单载波通信使用更加频繁外，对于快速、大容量通信以及可支持SNG等用途的移动站小型化，也越来越需要使用多载波通信。两种新的30W GaN HEMT将实现更灵活的放大器设计，包括额定功率水平和GaN驱动器的使用。它们还将支持更小规模地球站以及更快，更大容量的卫星通信。

翻译：第三代半导体风向