【行家快报】三代半最新动态！三安半导体湖南厂房顺利封顶；英诺赛科与ASML签署合作协议；比亚迪半导体接受IPO辅导

第三代半导体风向 · 2021-01-25

三安半导体湖南厂房顺利封顶，预计今年6月投产

1月19日，湖南三安半导体项目最大单体M2B芯片厂房完成封顶。标志着湖南三安第三代半导体产业园项目(一期)Ⅰ标段主体工程完工，有望今年6月份实现全面投产。

来源：长沙晚报

据了解，该项目总投资 160 亿，总占地面积 1000 亩，主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设。项目全面建成投产后将形成两条并行的碳化硅研发、生产全产业链产线，产品为高质量、低成本、高稳定性碳化硅衬底及各类器件，可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线（5G）通讯等。

据悉，该项目全部建成后预计可实现年产值 120 亿元以上，可提供 4500 个就业岗位，预计将带动上下游配套产业产值超 1000 亿。项目的实施，将推动湖南长沙先进半导体产业的壮大，助力长沙成为碳化硅市场和化合物半导体领域在国内的领先地位。

英诺赛科与ASML签署合作协议

1月21日，中国珠海-英诺赛科科技有限公司和ASML公司达成批量购买高产能i-line和KrF光刻机的协议，用于制造先进的硅基氮化镓功率器件，将在今年第二季度搬入首批光刻机，这是第三代半导体领域首次量产应用先进的ASML TWINSCAN(双工件台)光刻技术，这一实施标志着第三代半导体制造技术正式进入了一个全新的纪元。

英诺赛科主要产品包括200mm硅基氮化镓晶圆及30V-650V氮化镓功率器件。英诺赛科产品的设计与性能均达到国际最先进水平，并已广泛应用于PD快充、立体(3D)相机、移动电子设备(包括智能手机、笔记本电脑、平板电脑)等领域。英诺赛科致力于打造世界一流品牌，并为全球宽禁带半导体产业的发展做出贡献。

此次和ASML合作采用更加先进的制造工艺，实现更加高的性能、良率和产出，在快速成长的各种应用领域(例如快充、TOF相机(Time-of-Flight Camera) 、智能手机、电动车、数据中心等)共同推出最先进的解决方案以及下个世代的氮化镓器件，为我们的客户、伙伴和消费者创造更有价值的产品和服务。

比亚迪半导体拟首次公开发行股票并在境内证券交易所上市

1月20日，深圳证监局官网信息显示，比亚迪半导体股份有限公司（以下简称“比亚迪半导体”）拟首次公开发行股票并在境内证券交易所上市，已接受中金公司IPO辅导，并于近日在深圳证监局完成辅导备案。

2020年4月，比亚迪在为子公司重组引入战略投资者时，就曾透露了分拆比亚迪半导体上市的计划，希望借此提升公司的整体利润和影响力。在之后的两个月内，比亚迪半导体先后完成了A轮、A+轮融资，融资总额达27亿元，投资方包括中金资本、Himalaya Capital、招银国际小米科技、红杉资本等，投后估值达到102亿元。在完成两次融资之后，中金公司更是给予比亚迪半导体不低于300亿元的估值。

早在2020年6月份便有消息称，比亚迪与华为已签订合作协议，准备打造车规级麒麟芯片，其首款产品为麒麟710A。据悉，麒麟710A在此之前是由中芯国际代工并量产，采用的是14nm制程工艺。如果比亚迪半导体可以突破麒麟A710的生产制造，那么将会是继中芯国际之后，又一家国内能够生产14nm芯片的芯片代工厂。