【一周关注】中兴推出65W多口氮化镓充电器,2C1A输出配置

第三代半导体风向 · 2020-12-22

【一周关注】中兴推出65W多口氮化镓充电器,2C1A输出配置

一周关注

斯达半导拟2.29亿元投建全碳化硅功率模组产业化项目

12月18日,斯达半导(603290)12月17日晚间公告,公司拟在嘉兴斯达半导体股份有限公司现有厂区内,投资建设全碳化硅功率模组产业化项目,本项目计划总投资2.29亿元,投资建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心,项目将按照市场需求逐步投入。

碳化硅功率模组是第三代半导体材料之一,被业内看作新能源汽车电机控制器核心器件IGBT的替代品,具有禁带宽度大、击穿场强度高、饱和漂移速率好、热导率高等优点,可以降低电能转化过程中的能量损耗,是新能源汽车电机控制器功率密度和效率提升的关键要素。在此之前,IGBT是电力电子领域较为理想的开关器件。

此前,斯达半导一直致力于IGBT芯片的自主研发、生产与销售,由IGBT模块带来的收入占比一度超过95%。2015年以来,在“进口替代”等利好政策影响下,公司不断加大研发投入,重点发力自研芯片领域。2016年-2019年,斯达半导的研发投入同比增幅分别为1.30%、34.04%、27.69%、10.10%。

斯达半导表示,本项目实施后,将进一步提升公司在汽车及全碳化硅功率模组的技术水平,提高公司供货能力,为公司进一步拓展新能源市场打下基础。

中兴推出65W多口氮化镓充电器,2C1A输出配置

GaN氮化镓是第三代半导体材料,可用于通讯、照明、雷达等领域,采用氮化镓功率器件的充电器具有高频高效特性,可以在小体积内实现大功率输出。2018年氮化镓充电器正式量产与消费者见面,立刻就红遍了大江南北,也改变了人们对充电器傻大粗的死板印象。

2020年12月,ZTE中兴推出了自己的氮化镓充电器,与传统充电器不同,中兴氮化镓充电器采用条形直插结构设计,体积修长小巧,壳体全白色亚光表面处理,侧面印有ZTE 65W GaN的字眼表明这个充电器身份不简单。

共有三个输出口,分别是两个USB-C PD快充输出口与一个USB-A多协议快充输出口。USB-C接口支持功率盲插技术,任意插入其中一个USB-C均可获得65W全功率输出,用户无需记忆插口参数使用更方便。

利用氮化镓功率器件高频高效特性再通过立体排布设计,中兴氮化镓将65W大功率输出浓缩进一个小壳体内,体积比传统普通65W充电器还小40%,轻松收入背包方便携带。

输出性能方面,中兴氮化镓充电器基于USB PD快速充电标准开发,小小的体积可以输出65W功率,并且PD快充具有良好的通用兼容性,支持苹果、三星、华为、小米、中兴等手机快充。使用中兴氮化镓充电器对iPhone充电可以在半小时内充入50%以上电量,速度远超苹果原厂5W充电器。

VisIC 推出新8毫欧姆氮化镓开关管

日前,VisIC Technologies Ltd公司宣布其新的低导通电阻产品发布。针对电动汽车逆变器应用,此款产品将有助于提高电机控制器效率,降低整机制造成本。新的8毫欧姆产品是支持客户和改进电源转换系统的持续努力中的又一步骤。

与VisIC上一代产品相比,V8产品将当前功率提高了一倍,电阻降低了2.5 倍。这将使电动汽车应用客户改进其逆变器系统,在尺寸、功率和成本方面更高效地实现设计目标。V8 产品为电动汽车的核心电气驱动系统带来有意义的改进,高功率牵引逆变器应用也可以此实现更高的功率密度。

新产品的额定参数为 8毫欧姆、650伏特、200安培,与同类 IGBT 或 SiC 器件相比,在相同电流范围内可实现显着降低的开关损耗。客户可以将该新产品集成到分立封装和功率模块设计中。这项新技术可节省功率损耗,特别是在大电流电动汽车逆变器系统的功率循环测试中。

与现有的硅晶圆技术相比较,对于宽禁带器件SiC和GaN来说,制造更大电流的裸芯片非常有挑战。由于D3GaN平台的精心设计,以及VisIC公司制造合作伙伴台积电的卓越制造,使得200安培 GaN功率晶体管的突破成为可能。这一突破将使电动汽车受益于GaN的高效技术,实现更具成本效益的电动汽车设计,助力于更绿色和清洁的地球。

来源:综合自全球TMT 长江商报 充电头网