世界一流碳化硅(SiC)衬底厂商的发展历程-美国-下篇
碳化硅SIC半导体材料 · 2020-11-23
世界一流碳化硅(SiC)衬底厂商的发展历程-美国-下篇
在过去的30年中,诸如Cree,Westinghouse,Northrop-Grumman,ATMI,Sterling,Litton-Airtron,Dow和Intrinsic等公司已经兴起和衰落。幸运的是,如今衍生的公司仍然存在于Wolfspeed-Cree,II-VI和SKSiltron中。商业和军事对SiC衬底的需求正在迅速增长。强大的国内工业基础对于支持广泛的商业化至关重要。 2019年9月,Wolfspeed-Cree宣布承诺投资10亿美元建立世界上最大的SiC功率和RF制造工厂。以期望在2020年将200mm的SiC单晶衬底应用在器件制作中,使得未来产能拓展30倍。另外,II-VI继续扩展其在新泽西州,宾夕法尼亚州和密西根州的制造工厂。II-VI的长期财务承诺与政府发展资金相结合,为建立世界一流的商用200毫米SiC衬底供应链提供了支持。 II-VI在提高制造能力以在不断扩展的市场中竞争方面取得了长足的进步。他们的100毫米和150毫米工艺的制造成熟度超过了MRL8。不久前,以成本和规模来设想制造SiC衬底是不可能的。