MicroLED｜KAUST研发InGaN基红光LED，目标单片LED实现RGB发光

Micro LED｜KAUST研发InGaN基红光LED，目标单片LED实现RGB发光

CINNO Research产业资讯，沙特阿拉伯的阿卜杜拉国王科技大学（KAUST，ing Abdullah University of Science & Technology）的研究小组运用原本发出蓝色光的半导体InGaN，成功研发出可以稳定发出红色光的LED。通过生长高质量的高铟（Indium）基InGaN，并优化“台面型”芯片尺寸和氧化铟锡透明导电膜ITO，获得了高温环境下也能发出鲜艳红色光的LED。期待有助于研发用于新一代电视机和各种显示屏的Micro LED。研究成果发布在2020年4月27日的《Applied Physics Letters》杂志上。

（图片来源：fabcross）

根据日媒Fabcross报道，液晶、OLED屏被广泛应用于智能手机、电视机。要获得更高画质的图像、更节能、解决运动模糊问题、提高设备的耐用性，性能远在液晶、OLED之上的Micro LED的前景可期。LED是一种细微化可达10um、且平铺在平面上形成面板的产品，由于具有自发光的特性，因此相对液晶，它能够以更快的速度响应、更低的功耗获得更鲜艳和清晰的图像。同样为自发光的OLED，为了防止烧坏有机材料，使用时需要限制其亮度，因此存在无法在明亮地方使用、功耗高的问题。

就Micro LED而言，主要由三星电子等国内外家电厂家在进行积极的研究和开发，要把支持几百万像素的RGB三色极小的LED芯片排列在面板上，需要花费时间，因此成本高，要实现实际使用和量产还存在很大的障碍。

为解决以上问题，主流研发的是在一个晶圆上一次性形成多个LED的技术，然而，KAUST的研发小组尝试将RGB的发光集成到单个LED芯片上。迄今为止，都在研发组合InGaN（发蓝光和绿光）和InGaP（发红光）的技术，而KAUST的研发小组的着眼点在于--如果增加原本发蓝光的InGaN中的铟含量、就会发出红色光，由于是单片（Monolithic）InGaN，因此可以发出从蓝到绿、到红的所有波长的光。

研发小组通过优化高质量的高铟（Indium）基InGaN芯片尺寸，且优化采用了氧化铟锡透明导电膜ITO的超透过性电极，成功获得了优于以往红色InGaP的高性能InGaN红色LED。此次研发的MicroLED不仅可以在高温环境下稳定工作（无法在高温环境下稳定工作是InGaP红色LED的缺陷），而且具有明确的发光波长范围。此次研发的技术有望成为采用“单芯片型”MicroLED的新一代电视机、显示屏技术的基础。

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