中微半导体设定十年目标,三维度打造竞争力

行家说LED快讯 · 2020-04-27

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日前,中微半导体发布 2019 年财报,营收为 19.47 亿元,较上年成长 18.77%;归属于上市公司股东的净利润为 1.89 亿元,较上年成长 107.51%。其中生产 MOCVD 的南昌子公司营收为 8.27 亿元,净利润 1829 万。

  一、主力产品

  中微半导体设备(上海)股份有限公司(中微半导体)成立于 2004 年,是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设备公司,是我国集成电路设备行业的领先企业。公司聚焦用于集成电路制造、先进封装、LED 生产、MEMS 制造以及其他微观工艺用刻蚀设备和 MOCVD 设备的研发、生产和销售。

  2019 年公司专用设备共生产 233 腔,2018 年是 231 腔,2017 年是 156 腔;2019 年公司专用设备销售 221 腔,2018 年是 177 腔,2017 年是 90 腔。

  刻蚀设备

  财报显示,公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从 65 纳米到 14 纳米、7 纳米和 5 纳米的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。

  在逻辑工艺方面,公司刻蚀设备已运用在国际知名客户 65 纳米到 7 纳米生产线上;已经开发出 5 纳米设备用于若干关键步骤的加工;同时公司目前正在配合客户需求,开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺,能够涵盖 5 纳米以下刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。

  在 3D NAND 芯片制造环节,公司的电容性等离子体刻蚀设备技术可应用于 64 层的量产,同时公司根据存储器件客户的需求正在开发新一代能够涵盖 128 层关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺;公司也根据逻辑器件客户的需求,正在开发更先进刻蚀应用的设备。

  中微公司首先开发电容耦合等离子体刻蚀(CCP)设备,2007 年推出双反应台 Primo D-RIE,应用于 65-16 纳米集成电路制造;2011 年推出双反应台 Primo AD-RIE,应用于 45-7 纳米逻辑集成电路制造;2013 年推出单反应台 Primo SSC AD-RIE,应用于 16 纳米以下 2D 闪存芯片制造;2016 年推出 Primo SSC HD-RIE,应用于 64 层及以上的 3D 闪存芯片制造;2017 年推出 Primo AD-RIE-e,应用于 7 纳米以下逻辑集成电路制造。目前已经推出三代 CCP 刻蚀设备涵盖 65 纳米、45 纳米、32 纳米、28 纳米、22 纳米、14 纳米、7 纳米到 5 纳米关键尺寸的众多刻蚀应用。。

  2010 年成功开发电感性等离子体深硅刻蚀设备 Primo TSV,采用双腔设计,支持 12 英寸和 8 英寸无缝切换,同时兼容硅和氧化硅刻蚀,兼容硅和玻璃衬底,主要应用于包括先进封装、CMOS 图像传感器、MEMS、功率器件和等离子切割等;2016 年成功开发单反应台 Primo nanova 刻蚀设备,并同时开发双反应台电感性等离子体刻蚀设备,主要涵盖 14 纳米及以下的逻辑电路、19 纳米以下存储器件和 3D 闪存芯片制造。Primo nanova 不仅能够用于多种导体刻蚀工艺,比如浅沟槽隔离刻蚀(STI)、多晶硅栅极刻蚀;还可用于介质刻蚀,如间隙壁刻蚀(Spacer Etch)、掩模刻蚀(Mask Etch)、回刻蚀(Etch Back)等,并且既可以用于刻蚀垂直深孔,也可以用于刻蚀浅锥形轮廓。Primo nanova 以独特的四方形主机、可配置六个刻蚀反应腔和两个除胶反应腔,独特的技术创新使其具有业界领先的生产效率和卓越的晶圆内加工性能。

  中微刻蚀设备的客户主要有台积电、中芯国际、联华电子、华力微电子、海力士、长江存储、华邦电子、晶方科技、格罗方德、博世、意法半导体等。

  总结一下:CCP 刻蚀机,进入 5 纳米生产线,进入 64 层 3D 存储器生产线;深硅刻蚀机,已经进入欧洲 MEMS 生产线,在国内成为主流;ICP 刻蚀机,有单台反应系统,已经进入国内产生线,双台也在验证。

  薄膜沉积设备

  MOCVD 设备是一种高端薄膜沉积设备,主要用于蓝绿光 LED 和功率器件等生产加工。公司的 MOCVD 设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产,公司已成为世界排名前列的氮化镓基 LED 设备制造商。

  2010 年中微公司开始开发用于 LED 器件加工中最关键的设备 MOCVD 设备。2013 年推出的第一代设备 Prismo D-Blue 可以实现单腔 14 片 4 英寸外延片加工能力;2017 年推出第二代设备 Prismo A7 可以实现单腔 34 片 4 英寸外延片加工能力。

  公司用于制造深紫外光 LED 的高温 MOCVD 设备已在客户端验证成功,可以实现单腔 18 片 2 英寸外延片加工能力;用于蓝绿光 LED 和 Mini LED 生产的大尺寸 MOCVD 设备的研发工作正在有序进行中,可以实现单腔 41 片 4 英寸或单腔 18 片 6 英寸外延片加工能力;用于 Micro LED、功率器件等需要的 MOCVD 设备正在开发中。

  中微薄膜沉积设备客户主要包括三安光电、璨扬光电、华灿光电、乾照光电、深圳兆驰、佛山国星、福建兆元。

  二、未来十年

  展望未来十年,中微公司董事长、总经理尹志尧表示,中微公司在今后十年将采取三个维度的发展策略:

  第一个维度是从目前的等离子体刻蚀设备,扩展到化学薄膜设备,和刻蚀及薄膜有关的检测等关键设备。事实上公司已经开始布局,如持有沈阳拓荆(薄膜)11.2%的股权;2019 年 8 月拟向睿励科学投资 1375 万元,持股约 10.41%。

  第二个维度是扩展在泛半导体设备领域的产品,从已经开发的用于制造 MEMS 和 CIS 影像感测器的刻蚀设备、制造蓝光 LED 的 MOCVD 设备,扩展到更多的微观器件加工设备,及制造深紫外 LED、Mini-LED、Micro-LED 等微观器件的设备产品。如投资芯元基半导体。

  第三个维度是探索核心技术在环境保护、工业互联网、电子生物等领域,以及在国计民生上的新的应用。

  今后,中微计划不断开发新的产品,不断提高市场占有率;同时,公司将在适当时机,通过投资、并购等外延式生长途径,扩大产品和市场覆盖,力争在未来十年内,发展成为在规模上和市场占有率上成为国际一流的半导体设备公司。

来源:与非网