Lumileds涨价4%！国星10-20亿元建MiniLED等;三星官宣退出LCD;ALLOS推硅基氮化镓MicroLED

行家说Talk · 2020-04-01

Lumileds涨价4%！国星10-20 亿元建Mini LED等;三星官宣退出LCD;ALLOS推硅基氮化镓Micro LED

Lumileds产品涨价4%！

3月31日，Lumileds（亮锐）发布涨价公告，官方公告译文如下：

公司所处的行业一直面临巨大的财务压力，加上全球宏观经济背景，这给公司带来了前所未有的挑战。具体来说，面临着运输，原材料，组件和其他投入等无法控制的巨大成本增加，影响到最终产品成本。上述外部因素的影响已经达到了临界点，公司无法完全吸收它们带来的影响，因此，公司将产品价格提高4％。涨价对象包括LED产品、集成LUXEON解决方案、车灯和配件组合。

该新价格适用于2020年4月15日（包括当天）之后的所有新订单。4月15日之前积压或下达的订单将会继续兑现，且不受此次涨价的影响。需要注意的是，考虑到当前全球供应链的情况，公司将根据订单数量和交货时间来审查库存水平。如果您的订单受到影响，您的客户代表将与您联系。

公司重视每一位客户的价值，期待继续为客户提供创新的照明解决方案、质量一流的产品以及出色的服务。感谢所有客户长期以来的商务和合作伙伴关系。

国星光电拟投资10-20 亿元建设封装器件、Mini LED等项目

国星光电今（1）日早间公告，公司第四届董事会第三十次会议审议通过了《关于公司拟参与竞拍佛山禅城南庄镇工业用地使用权的议案》，同意公司以自有资金不超过7000万元竞拍位于佛山市禅城区南庄镇的约82亩工业用地使用权。近日，公司已与佛山市禅城区政府部门达成初步合作意向，拟在目标地块投资人民币10-20亿元（具体金额以实际审批为准）建设封装器件及应用产品产线及配套设施。

截至本公告日，公司内部已经完成项目可行性研究报告、法律意见书、风险评估报告等项目文件的编制，政府已移交60亩土地供公司开展前期工作，本投资事项正履行内部审批程序。

国星光电表示，公司拟在该地块投资建设的项目，旨在继续扩充公司现有优势封装器件及应用产品产能，并加大 Mini LED 等新兴领域的布局及发展，提升公司核心产品在中高端市场的竞争力和市场份额。本次对外投资事项尚需经过法定程序审批，在公司未完成审批程序、投资未正式实施前，不会对公司生产经营和当期业绩带来重大影响。

实锤！三星将全面退出LCD业务

星电子旗下三星显示器（Samsung Display）公司昨（31）日宣布已决定今年年底前结束在韩国和中国的所有液晶显示面板（LCD）生产，并将专注于扩大其QD 、OLED业务。

三星显示器大型事业部事业部长崔周善31日署名对所有客户发信，说明信中指出，公司在经营展略上发生重大的变动事项，因为近几年LCD市场严重不景气，大型事业部门的经营产生了大规模的赤字，为了摆脱目前的经营危机，以及提高大型事业的竞争力，从去年10月正式开始了QD display的投资。公司决定2020年12月底为止终止所有LCD产品供应，以加快转向QD display事业。

三星显示器早在前几年已经淡出笔电、平板电脑面板业务，监视器面板则是专注在曲面等高阶产品线，大尺寸面板以电视面板为主，大尺寸面板都在L7-2、 L8和苏州8.5代厂生产。去年底韩国境内的L7-2、 L8已经缩减了3～4成的产能，预计下半年持续缩小生产规模，到年底完全关闭。三星显示器拥有苏州厂SSL约60％股权，苏州市政府和华星光电各拥有剩下30％、10％股权，未来三星将出售股权。

面对去年价格崩跌、大陆新产能集中开出，韩厂从去年 9 月开始大动作调整营运，9 月传出减产、裁员后，陆续宣布将部分 LCD 产能加速转作 OLED，全力发展新一代显示技术，LGD 更在年初表示，将在今年底全面停止在韩国国内生产 LCD 电视面板，以降低亏损。

受新冠肺炎疫情影响，首季面板供需一度吃紧，价格也从去年底一路回升，但在欧美疫情失控影响下，欧洲杯足球赛、日本东奥会都宣布延后举办，让原寄望运动赛事带动回温的面板景气，反转向下。

三星显示器全面退出 LCD 电视面板生产，加上 LG Display 年初也宣布将关闭韩国国内 LCD 电视面板厂，意味着韩厂全面退出 LCD 市场，转攻量子点、OLED 等新一代显示技术。市场认为，韩厂退出 LCD 投资，有助产业供需秩序回稳。

ALLOS开发出硅基氮化镓Micro LED晶圆

为了解决芯片尺寸不匹配的问题并应对Micro LED生产量的挑战，德国Micro LED技术厂商ALLOS 应用其独特的应变工程技术，展示 200mm 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 晶圆片的出色一致性和可重复性，并同时说明其 300mm 晶圆的成功发展蓝图。

良率是Micro LED显示器的成功的关键，并且会直接影响生产的复杂性和成本。为了降低所需的成本，必须采用大芯片直径。这对于Micro LED应用而言尤其如此，Micro LED需要整合CMOS生产线的芯片与 LED晶圆片整合（譬如利用接合方式）。对比蓝宝石基氮化镓 (GaN-on-sapphire) 实现的更小直径，匹配的芯片直径还能促进其作用。ALLOS 团队采用其独有的应变工程技术来进一步提高波长一致性，并于 2019 年 2 月在 Veeco 的 Propel 产品上展示了 200mm 的 GaN-on-Si LED 晶圆片，标准差 (STDEV) 低至 0.6nm。

ALLOS 的最新研究结果显示，该技术现具有出色的可复制性，200mm 的波长一致性始终低于 1nm STDEV。ALLOS 联合创始人之一 Alexander Loesing 表示，与此同时，公司还达到了所有其他生产要求，例如弓小于 40 μm，SEMI 标准厚度为 725 μm。在将 CMOS 芯片粘合到 LED 外延片时，这些参数非常重要。结果令人印象深刻，因为公司的技术团队仅在对这项工作投入非常有限的时间和资源的情况下，推动了 GaN 技术的发展。

图 1：用于Micro LED 应用的 200mm GaN-on-Si 晶圆片波长一致性已能重复达成

ALLOS 的技术长 Atsushi Nishikawa 博士指出，公司的前身 AZZURRO 已率先在市场上推出了 150mm 商用产品，后来又推出了 200mm GaN-on-Si 外延片。下一个挑战自然是生产 300mm 外延片。当为如此大的芯片设计的首个反应器 Veeco ImPulse 面世时，ALLOS便着手应对这一挑战。

ALLOS 证实，其技术已在此新反应器上成功扩展 300mm。特别是，ALLOS 独有的应变工程技术和出众的晶体质量如预期的一样适用于 300mm。

图 2：用于 Micro LED 的 300mm GaN-on-Si 晶圆片

相比于 LED 行业的其他因素，从 100mm 直径（典型的蓝宝石基氮化镓芯片尺寸）按比例增大对于 Micro LED 的业务影响更大。使用大直径除了能够降低单位面积成本效果之外，用于 Micro LED 生产的 200mm 和 300mm GaN-on-Si 晶圆片还能比传统 LED 生产线的成本更低和生产精度更高的 CMOS 设施。他还能造成更进一步的影响，因为大多数 Micro LED 生产模式采用大面积使用大面积转印技术，或是整合单片显示器：

图 3：放大的芯片尺寸：由于显示器的匹配矩形形状或至圆形芯片的转印，可透过改善面积利用率来实现额外的成本效益。

关于 300mm 晶圆的优势，Loesing 总结道，对于 Micro LED 显示器来说，大芯片尺寸的面积利用率更高，单是这一点就能实现 300mm 外延片 40% 的成本优势。加上 CMOS 生产线带来的其他成本优势和生产优势，这使得领先的业内厂商开始评估基于 300mm GaN-on-Si 的 Micro LED 显示器。