Cree的新型650V MOSFET具有业界领先的效率，可实现下一代电动汽车，数据中心和太阳能创新

Wolfspeed技术利用碳化硅的卓越性能来满足更广泛的工业电源应用。

碳化硅技术的全球领导者Cree今天宣布，通过发布Wolfspeed®650V碳化硅MOSFET扩大其产品组合，可提供更广泛的工业应用并支持下一代电动汽车（EV）车载充电，数据中心和其他可再生系统，具有行业领先的能效。

“ Cree引领着从硅到碳化硅的全球过渡，而我们的新650V MOSFET系列是向更广泛的应用基础（包括世界各地的工业应用）提供高功率解决方案的下一步，” Cengiz Balkas表示， Wolfspeed总经理。“ 650V MOSFET具有高能效，可帮助当今最大的技术领先者创建下一代车载EV充电，数据中心和储能解决方案，以重塑我们的云和可再生能源基础设施。”

新型15mΩ和60mΩ650V器件采用了Cree行业领先的第三代C3M™MOSFET技术，与竞争对手的碳化硅MOSFET相比，开关损耗降低了20％，并提供最低的导通态电阻，从而提高了效率和功率密集的解决方案。通过更有效地利用电源，降低散热要求以及行业领先的可靠性，最终用户可以从各种应用程序中较低的总拥有成本中受益。

与硅相比，Wolfspeed的新型650V碳化硅MOSFET降低了75％的开关损耗，导通损耗降低了50％，从而有可能使功率密度提高300％。设计工程师现在可以达到并超过业界最雄心勃勃的效率标准，包括服务器电源的80Plus®Titanium要求。

新的650V MOSFET系列也是电动汽车（EV）市场中车载充电器（OBC）的理想选择。更高的效率和更快的切换速度使客户能够设计出性能更高的较小解决方案。Wolfspeed的650V碳化硅MOSFET还可在OBC中实现双向功能，而不会影响解决方案的尺寸，重量和复杂性。此外，Wolfspeed在汽车AEC-Q101认证中的经验（在E系列MOSFET系列中得到证明）为将来获得汽车认证的650V MOSFET铺平了道路。

其他工业应用，例如通用开关电源（SMPS），也将能够利用最大，全球和垂直集成的碳化硅技术供应商提供的新型650V碳化硅MOSFET的诸多优势。

Wolfspeed的650V碳化硅MOSFET现在可提供表面贴装和通孔封装。

关于Cree

Cree是Wolfspeed®功率和射频（RF）半导体以及照明类LED的创新者。Cree的Wolfspeed产品组合包括碳化硅材料，电源开关设备和RF设备，这些产品的目标应用领域包括电动汽车，快速充电，逆变器，电源，电信以及军事和航空航天。Cree的LED产品组合包括蓝色和绿色LED芯片，高亮度LED和照明级功率LED，其目标是室内和室外照明，视频显示器，交通运输和特种照明应用。