Eta Research是一家中国半导体公司，总部位于上海新的临港保税区，目前正在销售具有外延即用抛光剂的n型100 mm GaN晶圆。

Eta Research使用HVPE方法生产GaN晶圆。该公司表示，已经完成了GaN晶片商业化所需的研发工作，从而实现了HVPE设备，晶片分离工艺和抛光工艺。在2018年，该公司展示了100毫米直径的成年GaN晶圆，可以将其切割成最终尺寸的2英寸和3英寸晶圆。在2019年，该公司已经开发了将近5英寸的GaN生长晶片，可以切割并加工成100毫米晶片。

该公司表示，它非常重视晶体质量和晶格曲率的重要性。对于（002）和（102）反射，生长的晶片的典型摇摆曲线FWHM为50至60 arcsec。基于抛光晶片的CL，测得的螺纹位错密度为1E6 / cm 2。晶格曲率作为衡量整个晶片上切角变化的重要指标。中心点偏角在GaN m方向的0.35°处指定，可以根据客户要求进行修改。晶格曲率半径大于10 m，目标约为30 m或更大。

该公司已经开发了自己的GaN抛光工艺，可在10 µm图像上的AFM平均粗糙度<0.3 nm。它已经在GaN晶圆上生长了MOCVD GaN外延层和器件结构（下图为LED外延晶圆）。Eta Research表示，MOCVD生长的层显示出良好的表面形态，并具有与基材相似的XRD摇摆曲线半高宽。

当前，少量的100毫米GaN晶圆以及2英寸和3英寸晶圆正在出售。到2019年底，位于中国安徽省铜陵市的新生产工厂将使更多的HVPE生产能力上线。ETa Research预计将在不久的将来为大量客户提供服务。此外，与他们的外延生长合作伙伴合作，Eta Research可以为感兴趣的客户提供带有MOCVD外延层的GaN晶圆。