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SM2325E高PF、低THD创新芯片应用
明微电子 · 2017-12-02
目前市面上大功率灯具类产品均有相应的认证要求,其中高PF、低THD是重要指标项,线性应用产品,须在每个市电周期内以多段开启方式以实现高PF、低THD。在大功率方案应用时,需使用多颗IC进行并联使用,这当中就不可避免在并联端口处产生更多的跳线电阻,这会导致走线间距,可靠性等性能降低,PCB layout困难、整体布局不美观、外围成本高等问题。
SM2325E高PF、低THD创新芯片应用
SM2325E高PF、低THD创新芯片应用
为此我司SM2325E创新产品应运而生,省去了外围多余的跳线电阻,减少了外围干扰、提高了系统应用可靠性,节省了外围应用成本等问题。
SM2325E高PF、低THD创新芯片应用
SM2325E高PF、低THD创新芯片应用
50W典型应用方案性能参数:
基本参数项:
VIN
Pin
PF
VLED
THD
230Vac
51.92W
0.9983
268V
7.22%
分次谐波测试数据:
SM2325E高PF、低THD创新芯片应用
EMI测试项:
SM2325E高PF、低THD创新芯片应用
SM2325E方案支持:
PF大于0.9
THD小于10%,满足分次谐波要求 IEC61000-3-2(C级)
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