开关电源损耗分析、吸收电路的分析
开关损耗
MOS
开关损耗的组成
开关功耗 PS
对感性负载
通态功耗 PON
断态损耗 POFF 一般忽略
驱动损耗 PGATE 根据不同器件确定
吸收回路的损耗 根据具体的吸收回路及其参数而定
MOSFET 、IGBT等压控器件的驱动 损耗要小于电流型驱动器件
二极管
二极管的损耗在高频下是重要的损耗
一般二级管: trr为1-10微秒,可用于低频整流;
快恢二极管：trr小于1个微秒;
超快恢二级管trr小于100纳秒（外延法制造）。
肖特基二级管trr在10纳秒左右
二极管的关断过程
吸收回路
RCD snubber
举例：已知变换器Vce = 200V, tf = 0.2μs , tr = 0.05μs , 工作频率100kHz ，晶体管集电极电流Ic=2A, 求变换器的开关晶体管缓冲器的有关参数.
RCD snubber的等效接法
复合snubber电路
同时进行电压缓冲和电流缓冲，主要是减小器件开通时的di/dt和关断时的dv/dt，使导通和关断过程的损耗均有所降低。
无损snubber电路
