【非机密性却最受关注的文件】mask结构工艺制作全面解析
在OLED制程中，其中一部分是光掩膜或称光罩(mask)制造，这一部分是流程衔接的关键部分。
在开始光掩模内容之前，先来回顾一下光刻。
光刻
将光掩膜上的图形通过光学方式转印到平板上的技术称为光刻技术。
根据制作图形目的不同，作为转印对象的平板也就是基板（Substrate）材质也会有所不同。制造LSI时用的是硅片，制造FPD时用的是玻璃板，制造PCB时用的是树脂板。
光学转印的主要曝光方式
光掩膜
所谓光掩膜是微电子制造领域中光刻工艺所使用的图形母版，是由不透光的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形（Mask Pattern），并通过曝光将图形转印到产品基板之上。
光掩膜基本结构
光掩膜主要应用领域
1、IC（Integrated Circuit，集成电路），尤其是LSI（Large Scale IC，大规模集成电路）。
包括Wafer制程及IC Bumping等
2、FPD（Flat Panel Display，平板显示器），包括PDP、LCD、LED、OLED等。
3、PCB（Printed Circuit Boards，印刷电路板）。
4、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统）。
光掩膜透明基板种类
1、透明玻璃：
石英玻璃（Quartz Glass）
苏打玻璃（Soda-lime Glass）
低膨胀玻璃（Low Expansion Glass）
2、透明树脂：
Film
光掩膜遮光膜种类
1、硬质遮光膜：
铬膜
氧化铁
硅化钼
硅
2、乳胶：
Emulsion
光掩膜主要分类
Mask
Film
Glass
Mask
LSI用Half
Tone Mask
铬版遮光膜膜层结构
普通Mask用铬膜结构
Half Tone Mask用
其他
铬版遮光膜制作方法
溅镀法（Sputtering）：
1
上平行板：装载溅镀金属的靶材
下平行板：作为溅镀对象的玻璃基板
2
将氩气（Ar2）通入反应舱中形成等离子体，
氩离子（Ar+）在电场中被加速后冲撞靶材，
受冲击的靶材原子会沉积在玻璃基板上从而形成薄膜。
光刻胶涂布方法
光掩膜基础工艺
光掩膜图形形成方法
光掩膜基本制作流程
数据准备
原材料基板
曝光
缩小转印与复制
显影
原材料基板
曝光
显影后
曝光前后溶解速度的变化
主要显影方式
显影后其他处理
Post-bake：
曝光使用光刻胶为未经post-bake的掩膜基板时，显影后需要进行Post-bake。
目的：1、使光刻胶硬化；
2、使吸入有机溶剂成分而膨润的光刻胶收缩。
Descum：
对显影后的掩膜基板进行等离子处理，也称为轻度灰化（Light Ashing）。
目的：1、在蚀刻处理前改善显影后的线边质量；
2、将显影后需要蚀刻区域所稍许残留的光刻胶薄膜去除，减少黑缺陷的产生。
蚀刻
主要蚀刻方式
1、湿法蚀刻——Wet Etching
2、干法蚀刻——Dry Etching
显影后
蚀刻后
铬膜用蚀刻液组成比
脱膜
脱膜的主要方式
1、干法去除——等离子灰化（Ashing）
2、使用光刻胶剥离液：
有机溶剂、碱性溶液、酸性溶液等
3、再次曝光后使用显影液去除
显影后
脱膜后
光掩膜清洗
主要方式
光掩膜检查
主要缺陷类型
主要缺陷检查方法
1、比较显微镜
2、Chip比较检查——也称为Die比较、Die-to-Die、DD比较
3、Data比较检查——也称为Die-to-Data Base、DB比较
缺陷修补
1、Laser修补：
Zapping
CVD
2、FIB修补
Pellicle技术
光掩膜基本品质
光掩膜基本品质项目
1、外观品质
（缺陷、异物、光学浓度不足、透射率不足、划伤、顶伤）
（Haze雾状缺陷、MURA条纹）
2、图形尺寸精度（CD精度）
（也称为短尺寸精度，包括绝对精度、CD均匀性、CD线形等）
3、图形位置精度（Registration精度）
图形总长精度（TP精度，也称为长尺寸精度）
图形套合精度（Overlay精度）
图形居中精度（Centrality精度）
