洛阳高新四丰电子首块G6 AMOLED用宽幅钼靶成功生产

显示世界 · 2017-02-24

洛阳高新四丰电子材料有限公司在2017年2月经南京平板显示行业协会理事会审议通过,正式成为协会的会员单位。

该企业创建于2001年,为隆华集团旗下全资子公司,是一家专业从事TFT-LCD/AMOLED、半导体芯片制造用建设靶材---高纯钼/铜/钛等系列产品的研发、生产、销售的国家高新技术企业。

公司研发中心被评为“钨钼深加工河南省工程实验室”、“洛阳市钨钼溅射靶材工程技术研究中心”、“洛阳市钨钼深加工工程研究中心”,与国内多所高校、研究院建立了良好的产学研合作关系,为公司技术研发提供服务平台。

日前,继成功生产G5代TFT-LCD/AMOLED用高纯度宽幅钼靶(1700×1431×12mm)后,四丰电子首块G6 AMOLED用宽幅钼靶也成功下线,经严格的品质检验合格后转入后加工阶段,本批产品最终将出口海外。该块规格为2300×1800×14mm的高纯钼靶是目前全球AMOLED面板生产线上要求规格最大的钼靶产品,也代表钼靶生产的最高水平。

进入2017年,全球中小尺寸OLED显示器件产业发展规模将持续扩大,韩厂以技术领先增大布局,大陆厂商积极跟进,呈现国内外OLED面板产线投资热潮不断升温的态势。高纯钼靶是AMOLED面板生产中的关键原材料之一,四丰电子宽幅钼靶的成功生产,一举打破该产品被国外供应商长期垄断的格局,填补了国内宽幅钼靶的生产、技术空白,具有重要的社会意义和良好的经济价值。

四丰电子MESTA-Dia.2030 热轧机

一直以来,新材料对高新科技的进步与发展具有非常重要的意义,也是发展战略性新兴产业的基石。目前,显示产业链中下游不断发展壮大,特别是高世代显示面板线的投资及相继量产,为上游材料产业发展带来了良好的发展契机。然而,上游材料一直都是中国显示产业链的薄弱环节,也是走向显示强国的最大掣肘,其中ITO靶材就是中国显示产业链材料环节的缩影。

当前,ITO靶材最核心技术仍然掌握在日本和韩国几个大的ITO靶材生产商手中,如JADA、三井、三星,而中国高端TFT市场基本都受制于日本和韩国厂家。伴随中国显示产业的崛起,一批ITO靶材企业在产业发展中不断革新与发展新技术,以抢占ITO靶材这一高新材料战略高地。其中,一家名不经传的ITO靶材企业——广西晶联光电材料有限责任公司(以下简称:广西晶联)默默在ITO靶材领域进行了十年的技术耕耘,实现了ITO靶材国产化应用,成功打破了国外ITO靶材企业的核心关键技术垄断。

值得一提的是,目前广西晶联ITO靶材已经陆续通过了京东方、信利光电等国内一线显示企业严苛的测试要求,且开始供货给京东方6代线。实际上,广西晶联ITO靶材已经可以做到(200-1200)mm*(200-550)mm的尺寸,密度达到99.7%以上,可适用于8.5代、10.5代、11代等大尺寸TFT-LCD面板线。在与广西晶联高层采访接触中,本刊记者得以窥见广西晶联十年“砥砺铸剑”的过程。

广西晶联董事长孙建科在行业交流会上作大会报告

广西晶联光电材料有限责任公司领导团队成员

生之微末 定位冷压烧结法

铟是稀有金属,全世界铟的地质储量只有1.6万吨,是黄金地质储量的1/6。目前世界上金属铟总产量的70%以上用于制备ITO靶材。作为一家成长于“世界铟谷”广西柳州的ITO靶材企业,广西晶联正是得益于丰富的铟矿,通过十年的不懈努力,不断从上游原料向下游延伸,制造出了适用于大尺寸TFT-LCD显示面板的高品质ITO靶材。

ITO靶材是一种铟锡氧化物特种功能陶瓷材料,是稀散金属铟的深加工高科技产品,主要应用于生产ITO薄膜,ITO为Indium Tin Oxide的缩写,即铟锡氧化物。ITO薄膜作为一种n型半导体陶瓷薄膜,具有对可见光透明和导电性良好的特性,广泛应用于IT行业、液晶显示(LCD)、通讯显示、建筑行业幕墙玻璃和航空航天飞机、豪华汽车上的防雾玻璃等领域。然而,由于铟的成矿条件苛刻,资源量稀少,且在高科技产业领域中有着不可替代的作用,因此世界各国对铟等稀有金属作为战略资源的储备意识不断增强。目前全世界中高端的ITO靶材几乎由日、韩垄断,中国自行生产的ITO靶材只能用于较低端的ITO导电玻璃和柔性镀膜,年产量也较少,与中国高速发展的LCD行业极不相称,所需高端靶材仍需要从国外以高价大量进口。

十年前,随着中国大陆TFT-LCD产业不断发展壮大,高端靶材这一供需缺口不断扩大,也一直是遏制TFT-LCD产业的关键环节之一。在这样的产业背景之下,2007年,广西铟泰科技有限公司(简称:铟泰科技)正式成立广西晶联,且投建了ITO靶材的生产线,开启了广西晶联ITO靶材的国产化研发进程。

TFT用ITO靶材(镀膜前)

TFT用ITO靶材(镀膜后)

广西晶联常务副总黄誓成表示:“广西晶联是从上游的锌开始做,再到铟,后来机缘巧合,开始接触ITO靶材这个产品,往下游产品延伸。”

其实,国内最初做ITO靶材都是采用技术难度更低的热压工艺,而广西晶联则在一开始就瞄准技术难度最高的冷压烧结法。尽管广西晶联经过很长一段时间的痛苦的技术研发蛰伏期,但是长远来看,这个选择是极其正确的。

黄誓成表示:“自从确认技术发展路线之后,广西晶联便一直沿着这个方向不懈努力,期间经历了迁厂、铟市场的萎缩很多事件,但广西晶联一直都在坚持。”

2007-2009年,广西晶联除了建设ITO靶材的产线,以及研发相关核心技术,也在对外供应铟和锌。一直到2009年底,广西晶联才真正量产第一块ITO靶材,当时产品的尺寸仅为75mm*75mm。同年,广西晶联引进了包括黄誓成在内的四名80后研究生,现在这四名研究生都已成为广西晶联独当一面的核心技术骨干。然而,对于广西晶联最初的印象,黄誓成当年仅知道公司在做一种属于新材料的产品。由此可见,广西晶联起点之低,声名不显,但就是在这样的企业里,黄誓成带领的技术团队一直坚守ITO靶材的技术研发和改进,创造了ITO靶材国产化的奇迹。

锲而不舍 坚守核心技术开发

2010年底,因种种原因,广西晶联从铟泰科技独立出来。当时,四名刚刚从学校毕业的研究生几乎是每人负责一个工段来进行整个产品线的生产与研发。然而,广西晶联很长一段时间内在大尺寸、高密度ITO靶材上一直没有取得比较大的提升。为此,广西晶联通过各种途径,多次联合国内外著名ITO靶材专家、釜山国立大学和香港浸会大学镀膜专家以及中科院物构所、中南大学等对其ITO靶材生产工艺及品质进行优化,企业技术中心也加强与科研院所、高等院校建立密切的合作关系,及时获取国内外先进技术的信息及动态,了解世界先进工艺技术,形成较强的研发能力,极大推动公司ITO靶材的生产向高水平、高质量方向发展。

伴随广西晶联不断地调整和完善工艺,使得发展方向越来越清晰,技术也实现了突破。其实,在ITO靶材研发过程中,像很多技术型研发企业一样,广西晶联也付出了巨大的心力和耐心,在一个漫长的未知发展中,蹒跚前行。在企业发展过程中,既有国内来自中国大陆一线高等院校技术人才的加入,也有海外日、韩、台的技术人才的引进,但是还是有部分人选择退出,根本原因是当时产品无法做出来。但尽管广西晶联有各种人才的加入和退出,但其核心技术团队一直没有变。

在当今这样一个浮燥的年代里,一批八零后在企业连续多年不赚钱,而且也不知道哪一年才赚钱的情况下,一直在坚持,是难能可贵的。作为核心技术团队成员,黄誓成表示:“身在其中,我们结合国内外的技术交流和方法,能感受到广西晶联的技术一直在进步,并慢慢地形成自己独特的生产工艺和技术,国内ITO靶材市场也越来越大。特别是曾总(曾福祖)一直没有放弃,所以我们也没有放弃,始终坚信晶联一定能够走通ITO靶材国产化之路!”

在研发前期,曾福祖每年至少要往广西晶联投资上千万来维系的正常运作。2012-2013年,这是广西晶联最艰难的时期。当时,广西晶联甚至连买原料的钱都没有,有时发工资都需要曾福祖从别的地方挪借来发工资。同时,做研发试验的原料又特别贵,达到5000元/公斤,都是研发团队凭借个人资源去“赊”回来,再做开发试验。在这过程中,也曾经有很多风险投资进来过,但在投入的一年时间里,因为失去信心都撤出来了。

广西晶联光电材料有限责任公司常务副总经理、ITO靶材技术专家黄誓成

ITO靶材,是一个资金和技术投入都非常大的行业,广西晶联这么小的一家企业一直在坚持,非常不容易。然而,天道酬勤,多年的努力付出于2013年终于结出了收获的果实。

2013年8月份,广西晶联顺利实现ITO靶材常压烧结,并获取相对密度大于99.7%的ITO靶材,靶材尺寸大于400mm×650mm,靶材综合品质达到甚至超越了国际最知名ITO靶材生产厂家——日本三井公司的水平,成为其ITO靶材发展的重要节点。

过去一段时间里,广西晶联完成了柳州市柳东新区科学研究与技术开发计划项目——“大尺寸、高密度ITO靶材的烧结法生产工艺”,积累了大量的高品质纳米ITO粉体生产、粉体加工、模压成型、冷等静压成型以及烧结工艺的研发经验和技术工艺,并成功将ITO靶材推广到南玻、莱宝高科、苏州板硝子等知名客户,并成为其国内唯一稳定供应商。同时,公司不断地推进新型ITO靶材产品的研发工作,通过技术攻关和引进相关技术人才,逐渐克服了生产过程中的核心技术难题,这些扎实的技术基础为该产业化项目的建设和顺利完成提供了强有力的保障。

广西晶联光电材料有限责任公司主要产品

崛起于阡陌 “搭界”显示面板巨头

伴随2013年取得重大技术突破,广西晶联核心技术团队看到了希望,也看到了ITO靶材国产化的可能。其实,当时广西晶联ITO靶材技术已经领先全国,在大陆是没有任何一家企业的技术水平可与之相比拟的,而他们需要的只是一个机会。当然,因刚刚实现技术突破,此时的工艺还不是特别完善,还有很多的问题需要解决,从实验到量产还需要一个完善的过程。

2013年12月,广西晶联得到了国内最大导电玻璃生产厂商——南玻集团(该公司之前主要使用日本某公司的ITO靶材)的认可,详细的测试和分析表明其ITO靶材品质已经达到甚至超过日本同行企业的ITO靶材。2014年底,南玻将平面ITO靶材从之前的进口转向从广西晶联采购。

2015年2月,广西晶联通过信利半导体公司TFT(高端液晶显示面板)产线的品质测试,成为中国大陆唯一一家ITO靶材通过TFT认证的企业,这对企业发展具有里程碑的意义。

与此同时,国内最大ITO靶材使用企业——京东方也对广西晶联产品进行品质验证。2016年2月,产品通过了京东方合肥六代线的测试。目前为止,广西晶联是中国大陆首家也是唯一一家为TFT领域批量供应ITO靶材的生产商。伴随广西晶联ITO靶材进入京东方生产线,这为ITO靶材实现真正的国产化迈出了具有历史意义的一步!

其实,广西晶联ITO靶材能进入京东方的“法眼”,也经历了一个比较曲折而又励志的过程。在国家政策的推动下,京东方开始在大陆寻找可以配套ITO靶材的供应商,而广西晶联几乎作为最后一家后备企业被其选中。

2013年,京东方派技术人员来评估广西晶联的ITO靶材产品。尽管产品通过了京东方的技术评估,但是京东方仍然表示:广西晶联的技术有可能是最好的,但是还是不相信晶联能够做出来。毕竟,相对于同行企业或科研机构,广西晶联在企业规模和研发人员数量上没有任何优势可言。2015年,在其他企业试用失败的情况下,京东方又重新找到广西晶联,试用其ITO靶材产品。

此时,广西晶联的ITO靶材品质已经得到很大的提升。在2013-2015年两年时间里,广西晶联做了大量的工艺和技术改进工作,到2015年已经可以很稳定的批量供货。在京东方试用产品过程中,广西晶联又按照其要求在生产管理、工艺等方面做了进一步改进,从做样到开始测试,大概花了半年的时间。到2016年3月,广西晶联的第一套产品在京东方进行了产品性能上全方位的测试,且通过了其品质认证。

从初始端(镀到玻璃上),到在下游企业产品上使用,再与国外的靶材进行全方位的对比,京方东终于做出结论:广西晶联的产品完全可以与国外的ITO靶材相媲美!

其实,广西晶联自2013年突破核心技术以来,因其没有懂得技术的销售团队,ITO靶材市场始终没有打开。正是因为京东方给了一次宝贵的试用的机会,广西晶联才实现了技术和市场上的整体突破。

黄誓成表示:“在这个过程中,我们也深深地感到,机会还是垂青于一直在努力的人。广西晶联的中层人员和核心技术团队一直是非常稳定的,这也是我们最后能够成功的原因。因为我们一直在积累,一直在进步,现在仍然还在进步。”

他认为:“广西晶联之所以能在技术上获得大的突破,是与技术方向有关。广西晶联一开始就定位在国际最先进的冷压烧结技术,尽管路走得非常艰难,但是技术方向明确,一定就会取得成功。广西晶联的成功也得益于最初建线的公司领导团队,在最开始便将技术路线定位于当时日本最先进的冷压法。”

经过多年的研究开发,目前广西晶联已获得5个核心的发明专利,7项实用新型专利,均属于国内ITO靶材顶尖水平的专利。

批量化供应京东方六代线ITO靶材

广西晶联大尺寸ITO平面靶材素坯

广西晶联加工完成后的大尺寸ITO平面靶材

赫赫之名 受上市企业隆华之青睐

2016年8月,隆华节能通过股权收购及增资等方式,持有广西晶联70%股权。隆华节能强大的资本支持及专业管理团队的加入进一步提升了企业在TFT-LCD市场的生产、经营能力。那么是什么样的机缘巧合,让隆华将广西晶联收入旗下的呢?

据广西晶联总经理杜海柱介绍,隆华节能也是河南洛阳空港产业区的一家明星企业,其董事长李占明是一个非常有眼光与胸怀的优秀企业家,在创业过程中一直在不断的网罗人才,并在创业过程中逐渐将隆华的发展方向定位于工业制冷上,大举进入工业节能领域,并在细分领域里做到全国第一,技术非常领先,并于2011年在创业板成功创业。

在隆华发展战略中,李占明一直都将人才放在企业的第一位,可以用“求贤若渴”来形容。他认为,“人才是企业的生命力”。

杜海注告诉记者说,正是在隆华不断寻求转型与发展的背景下,2014年,在机缘巧合下,李占明与时任中国船舶重工集团总工程师、装备产业部主任孙建科有了一次难得的交流机会。经过交流与接触,他们发现彼此在很多“产业发展和认识”上都有“相见恨晚”的感觉,志同道合的两人在很多想法上“不谋而合”。

孙建科不仅是一名优秀的技术专家,同时也是优秀的管理专家。2014年9月,孙建科辞去中船重工总工程师和装备产业部主任(副部级)的职位,加入隆华任副董事长兼总经理,李占明将隆华未来的发展和转型都交给了孙建科来操盘与掌舵。

孙建科因本身是国家级的材料专家和博士生导师,因而从其最熟悉的领域着手,在技术和管理方面都成效卓著。2014年11月,孙建科上任后便从材料方面着手,收购了第一家材料企业“洛阳四丰”,刚收购时大家并不看好,利润是负的,但到2015年洛阳四丰的销售收入便翻倍,到2016年成绩就更好。收购洛阳四丰是孙建科进军ITO靶材领域的第一步,在钼靶、铜靶等领域已经领先全国,其发展“如日中天”,在行业里已经形成很大的影响力。

在业内客户的建议下,孙建科又把收购目标转向广西晶联,通过接触之后,双方在很短的时间里便走到一起。2016年9月1日,隆华派驻专业高层管理团队正式加入广西晶联,其中杜海柱担任广西晶联总经理,善于管理生产的郭朋任主管生产和工艺的副总经理。

对于收购广西晶联,杜海柱表示:“首先是因为隆华看好ITO靶材这个产业,而收购晶联是符合隆华长期转型的目标。如果我们对ITO靶材产业没有信心,隆华人不会做这个事。同时,隆华也非常看重老晶联人这个团队,人心很齐,共同的志向,共同的作风使我们很快融合到一起。”

2016年3月,广西晶联ITO靶材成功通过京东方6代线认证并获得续单,实现国产ITO靶材在高世代面板应用领域“零”的突破。杜海柱很自豪地表示:“我们认为广西晶联未来很长一段时间内都将是中国大陆唯一一家可以供货ITO靶材的企业,我们和竞争对手的距离会拉得越来越大,领跑优势会越来越明显。”

广西晶联在ITO靶材领域的成功足以说明,在一个技术门槛很高的行业,不是“有钱”就可以“烧”出来的,有太多企业所投入的资金比广西晶联多得多,但ITO靶材这个行业真不是钱能“堆”出来的,它需要的更多的是耐心与坚持。

乘风借力 扩大ITO靶材产能

在加入隆华之后,广西晶联的技术优势在隆华强大的资本支持下,加快了产能的扩张步伐。在对外公告里,隆华对晶联的目标非常清楚:三年之内隆华将新增200吨的产能!

从工业节能到TFT-LCD,隆华成功进行了跨界经营,特别在收购广西晶联之后,意欲扩大ITO靶材的领先优势,推动ITO靶材国产化。这也是隆华自收购洛阳四丰之后,又一个加快企业转型的“先手棋”。

近年来,在国家政策以及地方政府的大力支持下,中国大陆平板显示产业迅速崛起,已经成为世界显示产业格局中的重要一极。特别是伴随“‘十三五’国家战略性新兴产业发展规划”、“工业和信息化部、发展改革委、科技部、财政部关于加快新材料产业创新发展的指导意见”等一系列国家政策文件的出台,广西晶联将在ITO靶材国产化的政策东风下迎来一个非常好的发展机遇,也将坚定隆华在TFT-LCD领域的发展信心。

杜海柱表示:“从市场方面来看,中国大陆面板扩张速度非常快,在国产化方面有着强烈的需求。从产品质量来看,我们在技术和品质上已经赶超日韩的水平,已经通过了京东方非常严格的认证和测试,这是我们品质和技术最直接的证明;从成本来看,我们采用高效设备,优化生产线,使我们的成本降到最低!”

从柳州ITO靶材产线来看,广西晶联最初规划的是30吨的产能,但是通过提升设备的利用率和产线优化管理,到2017年2月其产能将达到60吨的产能。

“在厂地不增加,完全利用原有厂地,对原有生产线进行改进,采用高效的设备,改进作业的方式,挖掘原有设备的潜能。这样在投资增加不多的情况下,我们实现了月产能达到5吨的目标,这样使我们的成本下降,我们的竞争优势更加明显。”广西晶联副总经理郭朋补充道。

常务副总经理黄誓成主抓产品研发与技术提升,而副总经理郭朋在ITO靶材生产管理中擅长精益生产,两人形成了紧密、互动合作的关系,实现了在提升ITO靶材产品品质的同时,不断降低产品成本,可以说是绝佳的“双剑合璧”。

据了解,目前广西晶联柳州生产线每月产量大概在3.5吨,整体供不应求。经过对一些设备的优化与调整,到2017年2月,这条线的产能将达到5吨/月。未来三年,广西晶联新产能主要布局在洛阳,分期完成200吨ITO靶材新产能的扩产目标,届时加上柳州60吨产能,总体产能将达到260吨,成为全球非常有影响力的ITO靶材生产商。

杜海注非常自豪地向记者介绍说,2017年2月,常务副总黄誓成和副总经理郭朋也将各自领导一个团队,在洛阳启动第一个60吨的建设,务使广西晶联的产品更具品质,成本更加合理。由于不同的镀膜线对ITO靶材的要求各有不同,因而作为广西晶联的技术专家,黄誓成和公司的其他专家还经常调研客户的镀膜线,与客户共同研究如何使ITO靶材更好地应用到客户的生产线上,使其利用率更高,同时也把从市场上带回来的信息,反馈到产品与工艺的改进中。而主管生产的郭朋副总经理将进行60吨产能的规划与建设,预计会分成三到四期分批建设,实现滚动式发展。

根据规划,广西晶联将在三个月内把主要的工艺和设备建设完成,并在柳州现有60吨的每个环节进行研究,努力提升ITO靶材产品品质。同时,广西晶联还与市场进行结合,通过客户提供的信息对产品进行优化改进。因此,用杜海柱的话来表达:洛阳的第一个60吨将比柳州的这个60吨“投资要更低、工艺更先进、管理更合理”。

“每一个60吨是在前一个60吨的基础上进行改进,从‘品质要稳定、投资要降低、产量要扩大、设备要优化、效率要提高’这些方面进行改进。”杜海柱介绍。其实从2016年9月份开始,郭朋副总经理便带领团队着手做这些方面的工作。

未来,广西晶联主要瞄准TFT-LCD高端市场,主要竞争对手也变成日韩台的ITO靶材巨头。到2018年,中国大陆TFT-LCD面板线总数量将达到44条,从而真正占据“全球第一”地位,对ITO靶材的需求量也将达到600-700吨。而广西晶联的设想是能够占到中国大陆的三分之一的市场占有率。

同时,由于日韩企业的逐步退出,未来市场对ITO靶材的需求可能远远超过预期。杜海柱表示,广西晶联将根据市场的变化,逐步扩大产能,预计洛阳ITO靶材生产基地最大产能可达500吨。对于广西晶联是否将会在中国大陆平板显示几大集聚地进行投资配套,他也表示,不排除这个可能性。

根据规划目标,洛阳将形成全国最大的ITO靶材生产基地,新车间的面积达28800平方米,可建年产达500吨的规模。从产业布局来看,广西晶联在洛阳的布局还是很好的,因为可以居中辐射到各大平板显示聚集地。

目前广西晶联ITO靶材最核心的竞争对手仍然是日本和韩国的几个大的ITO靶材生产厂家。由于日本和韩国提前中国大陆研发和生产ITO靶材近20多年时间,一直处于垄断的状态,在市场上的占有率达到80%以上,而且市场基础非常牢固,品质以及与下游客户的匹配度更高。但是,未来随着广西晶联在ITO靶材这一领域更强有力的技术与市场布局,将进一步打破中国大陆在ITO靶材这一核心材料的“尴尬的供给格局”。

与此同时,目前广西晶联还与国内外著名科研机构和院校,共同进行ITO靶材镀膜测试和认证,为下游镀膜厂家提供更好的技术支持,这大大推动了ITO靶材国产化进程。

十年来,广西晶联的发展之路,分明是一次次涅槃重生、华丽崛起之路。目前广西晶联的ITO靶材已经可以在TP、柔性、TFT-LCD、LTPS、AMOLED全面使用,特别是实现高世代线TFT-LCD的ITO靶材产品的研发突破,相信在当前国产化机遇的助推下,将进一步强化其技术和市场优势。

(本文转自《国际光电与显示》杂志)

广西晶联

广西晶联光电材料有限责任公司(以下简称“广西晶联”)成立于2007年9月,注册资金8453.5747万元,是上市公司隆华节能(股票代码:300263)旗下一家专业从事氧化铟锡(ITO)靶材研发、生产和销售的高新技术企业。

ITO靶材的市场供应长期以来一直被日韩所主导,尤其是在高端TFT应用领域,更是被进口全面垄断。经过自主创新,公司已彻底打破了日韩技术壁垒,掌握了生产高端ITO靶材最核心的常压烧结技术,并实现批量化生产,拥有多项知识产权和专利成果。广西晶联ITO靶材率先成功通过国内几大主流TFT-LCD厂商的品质认证并逐步开始批量供货,先后通过了信利半导体2.5代线和京东方6代线的测试认证,成为国内第一家也是唯一一家在TFT领域获得客户认可并批量导入的ITO靶材生产商。并稳定服务于TN、STN型液晶显示器(LCD)以及触摸屏(TP)等应用领域,靶材品质处于国内领先、国际相当水平,市场占有率持续提升,并远销至欧美以及中国台湾、新加坡、日本、韩国等地,受到了业内客户的普遍好评。

2016年8月隆华节能(股票代码:300263)完成了对广西晶联的股权收购,隆华集团强大的资本支持及专业管理团队的加入必将大大提升公司在TFT-LCD市场的生产、经营能力,填补国产ITO靶材在国内TFT-LCD的市场空白并逐步取代进口,实现该市场ITO靶材的国产化。

四丰电子

洛阳高新四丰电子材料有限公司创建于2001年,系隆华集团旗下(300263)全资子公司,是一家专业从事TFT-LCD/AMOLED、半导体IC制造用高纯溅射靶材——高纯钼/铜/钛等系列产品的研发、生产、销售的国家高新技术企业。四丰电子作为国内首家研发制造高世代TFT-LCD/AMOLED用钼靶材的生产企业,凭借着先进的技术指标和稳定的产品质量,靶材产品先后顺利通过国内、外多家知名面板企业的测试认证,并获得批量应用。此外,四丰电子的非靶材类钨、钼制品也广泛应用于光伏太阳能、高温炉、钢铁及玻璃行业等工业领域。

四丰电子专注于溅射靶材研发、生产十余年,秉承“做精每一块”靶材的经营理念,为下游用户提供专业化配套服务,深受广大客商好评。同时,四丰电子在积极推动靶材国产化工作中取得的成绩也获得行业专家的高度肯定和赞誉,以上都为四丰电子后续“做强、做大”发展战略的实施注入正能量。

四丰电子致力打造全世代线(G2.5-G10.5)TFT-LCD/OLED溅射镀膜用高纯钼/铜/钛靶材的本土化研发、生产基地,公司研发中心被评为“钨钼深加工河南省工程实验室”、“洛阳市钨钼溅射靶材工程技术研究中心”、“洛阳市钨钼深加工工程研究中心”,与国内多所高校、研究院所建立良好的产-学-研合作关系,为公司技术研发提供服务平台。

公司拥有良好的生产环境,先进的工艺装备,完整的自主知识产权体系,完善的质量管理体系,专业化的研发-生产-销售团队,产品畅销国内二十余个省时,并有多种产品出口美国、德国、英国、韩国、印度等国家,深受广大客商好评。

来源:新材料在线

0前言

随着电子信息产业的飞速发展,薄膜科学应用日益广泛。溅射法是制备薄膜材料的主要技术之一,溅射沉积薄膜的源材料即为靶材。用靶材溅射沉积的薄膜致密度高,附着性好。20世纪90年代以来,微电子行业新器件和新材料发展迅速,电子、磁性、光学、光电和超导薄膜等已经广泛应用于高新技术和工业领域,促使溅射靶材市场规模日益扩大。如今,靶材已蓬勃发展成为一个专业化产业。目前,全世界的靶材主要由日本、美国和德国生产,我国靶材产业的研发则相对滞后。虽然国内也有一些大学和研究院对靶材进行了研制,但仍处于理论研究和试制阶段,尚没有专业生产靶材的大公司,大量靶材还需进口。如今,微电子等高科技产业的高速发展促进了中国靶材市场日益扩大,从而为中国靶材产业的发展提供了机遇。靶材是微电子行业的重要支撑产业之一,如果我们能及时抓住机遇发展我国的靶材产业,不仅会缩短与国际靶材水平的差距,参与国际市场竞争,还能降低我国微电子行业的生产成本,提高我国电子产品的国际竞争力。

有关靶材应用和市场前景方面的综述已有多篇,本文重点总结靶材的制备工艺,为靶材制备研究者提供有价值的参考。文中首次详细列出我国靶材研究单位和生产企业,对其研究方向和产品进行了系统归纳;并分析了国内外靶材专利对我国靶材产业化的影响。

1靶材的分类

根据应用主要包括半导体领域应用靶材、记录介质用靶材、显示薄膜用靶材、光学靶材、超导靶材等。上海钢铁研究所张青来等人对靶材的分类及其对应的材料种类和应用领域划分得较为详细。其中半导体领域应用靶材、记录介质用靶材和显示靶材是市场规模最大的三类靶材。

靶材形状有长方体、正方体、圆柱体和不规则形状。长方体、正方体和圆柱体形靶材为实心,溅射过程中,圆环形永磁体在靶材表面建立环形磁场,在轴间等距离的环形表面上形成刻蚀区,其缺点是薄膜沉积厚度均匀性不易控制,靶材的利用率较低,仅为20%~30%。目前国内外都在推广应用旋转空心圆管磁控溅射靶,其优点是靶材可绕固定的条状磁铁组件旋转,因而360°靶面可被均匀刻蚀,利用率高达80%。

2靶材的性能要求

靶材制约着溅镀薄膜的物理、力学性能,影响镀膜质量,因而靶材质量评价较为严格,主要应满足如下要求;

1)杂质含量低,纯度高。靶材的纯度影响薄膜的均匀性。 2)高致密度。高致密度靶材具有导电、导热性好、强度高等优点,使用这种靶材镀膜,溅射功率小,成膜速率高,薄膜不易开裂,靶材使用寿命长,而且溅镀薄膜的电阻率低,透光率高。 3)成分与组织结构均匀。靶材成分均匀是镀膜质量稳定的重要保证。 4)晶粒尺寸细小。靶的晶粒尺寸越细小,溅镀薄膜的厚度分布越均匀,溅射速率越快。正因为靶材在性能上有上述诸多特殊要求,导致其制备工艺较为复杂。

3靶材的制备工艺

目前制备靶材的方法主要有铸造法和粉末冶金法。

铸造法;将一定成分配比的合金原料熔炼,再将合金熔液浇注于模具中,形成铸锭,最后经机械加工制成靶材。铸造法在真空中熔炼、铸造。常用的熔炼方法有真空感应熔炼、真空电弧熔炼和真空电子轰击熔炼等。其优点是靶材杂质含量(特别是气体杂质含量)低,密度高,可大型化;缺点是对熔点和密度相差较大的两种或两种以上金属,普通熔炼法难以获得成分均匀的合金靶材。

粉末冶金法;将一定成分配比的合金原料熔炼,浇注成铸锭后再粉碎,将粉碎形成的粉末经等静压成形,再高温烧结,最终形成靶材。粉末冶金法的优点是靶材成分均匀;缺点是密度低,杂质含量高等。常用的粉末冶金工艺包括冷压、真空热压和热等静压等。

3.1铸造法

3.1.1NiCrSi高阻溅射靶材

该靶材主要用于制备金属膜电阻器和金属氧化膜高阻电阻器,集成电路布线及传感器等,应用于电子计算机、通讯仪器、电子交换机中,逐渐成为替代碳膜电阻的新一代通用电阻器。目前用于生产高稳定性金属膜电阻器的高阻靶材,主要依靠进口,价格昂贵,制约了我国电子工业的发展。上海交通大学在NICrSi合金内添加稀土以改良靶材性能,其制备工艺如下;

1)备料;Cr、Ni元素纯度大于99.5%;Si元素纯度大于99.9%;稀土元素混合物纯度大于98%。2)将Ni、Cr及少量的Si熔炼成中间合金,电弧炉熔炼时的电压为20V,电流为500~600A,时间为2~5min。3)然后进行整个靶材的真空感应熔炼,即采用特殊真空感应熔炼石蜡熔模精密浇铸;在真空感应熔炼中将制备好的中间合金放在加料器的底部,难熔材料在上部,在真空感应熔炼中使中间合金先熔化,然后再将难熔Si材料加入。真空感应熔炼时的真空度为2×10-2torr,功率为35kW,时间为1h。4)随后进行精炼,精炼时功率为20kW,时间为30min。5)稀土元素在精练阶段加入,并用电磁感应将溶液均匀搅拌,注入熔模,熔模冷却后经脱模工序得到靶材的铸造件。6)对靶材铸造件热处理和机械加工。热处理工艺为;在800℃下保温2h。

天津大学在NICrSi合金内加入Ti,并调整了各元素的含量(成分; Si45% ~ 55%, Cr40% ~50%,Ni3%~6%,Ti0.1%~0.3%),所制备的靶材具有表面光滑、平整、外部无裂纹,内部无气孔等优点。用该靶材生产的金属膜电阻器具有较高的稳定性。所采用的制备工艺如下;1)采用刚玉-石墨-镁砂复合型中频真空感应炉,将配好的料放入刚玉坩锅内,在1×10-2torr真空条件下冶炼,熔炼温度为1 500~1 550℃,时间为1h。中频感应炉的功率为10~40kW,感应圈电压和电流分别为100~400V和200~380A。2)模壳内设置管口伸至模壳底面的浇铸管,烘烤模壳,使其温度达到650~700℃时,料液通过浇铸管底面而浇铸。浇铸后模壳缓慢冷却至850~800℃,保温1h,然后再以10~15℃/h的速度冷却至室温。

为提高强度,NiCrSi靶材的背面需覆加衬板,即在背面焊接一块铜板。铜板形状和尺寸与靶材相同,厚度为1~3mm。用铟锡钎焊或环氧树脂粘接的方法将靶材和铜板焊接牢固,焊接温度为250~270℃,时间为4h。

3.1.2Ag及Ag合金靶材

Ag靶材主要应用于光盘介质的反射膜;STN液晶显示装置或有机EL显示装置等的光反射性薄膜。在Ag合金中添加少量的In、Sn、Zn或Au、Pd、Pt,或根据情况添加少量的Cu,可将低溅射靶材电阻,提高靶材图案形成性、耐热性、反射率和耐硫化性等。

日本石福金属兴业株式会社采用燃气炉、高频熔炼炉,在空气(或惰性气体环境或真空下)冶炼、制备Ag合金靶材,熔炼温度为1 000~1 050℃。

3.1.3镍基变形合金靶材

该靶材主要应用于合金钢领域,适用于建筑装饰玻璃镀膜用。

冶金工业部钢铁研究总院采用如下工艺制备该靶材;

1)真空感应炉或非真空感应炉加电渣重熔方法冶炼。2)采用热锻方法进行热加工,或采用热锻加热轧方法进行加工成型。开锻温度为1230℃,终锻温度为980℃;开轧温度为1 130℃,终轧温度为1 000℃。

3.1.4纯金属铝、钛、铜,或其合金靶材

由纯金属铝、钛或铜,或是添加铜、硅、钛、锆、锕、钼、钨、白金、金、铌、钽、钴、铼、钪等至少一种不同金属所形成的合金靶材主要应用于半导体产业及光电产业。光洋应用材料科技股份有限公司采用双V熔炼法制备该类靶材;

1)将纯金属或合金进行真空感应熔炼。 2)对铸件进行高温锻造加工,产生晶粒细小及二次相微细化的高均质化材料。 3)真空电弧精炼。将锻造后的材料当作电极,利用一高直流电源,在此电极与一导电坩锅之间产生电弧,融化由单一金属或合金所形成的电极,熔融物落至导电坩锅中固化而获得靶材。

3.1.5铝系合金靶材

铝系合金靶材主要应用于光碟和液晶显示屏上。 三井金属工业株式会社采用溅射方法制备铝-碳合金靶材,其制备工艺如下;

1)分别准备铝和碳的靶材,对这些靶材进行同时或交替溅射,将其堆积在基板上,形成铝-碳合金靶材。 2)将该通过溅射形成的铝-碳合金块材再熔化,加入合金元素,然后冷却凝固,从而制造成具有优异特性薄膜的铝系合金靶材。

然而该工艺存在如下缺点;靶材内易形成粗大的Al4C3相;由于利用溅射装置,生产效率低,制造成本高。

因而,三井金属工业株式会社又对铝系合金靶材的制备工艺进行了深入研究,重新制订了制备工艺;

1)铝-碳二元系合金靶材的制造;将铝放入碳坩锅中,加热至1 600~2 500℃,将铝熔化,在碳坩锅中形成Al-C合金,使该溶液冷却凝固,冷却速度为3~2×105℃/S,从而形成Al-C相均匀微细分散在铝母相中的Al-C合金。冷却速度越大,铝-碳相越越细小,分布越均匀。可将熔液浇入铸模中铸造;也可采用骤冷凝固法形成非晶态金属,如单辊法、双辊法等熔融旋压成形法。将熔融旋压成形法骤冷凝固得到的线状或箔状材料再熔化,形成块状体,用作靶材。

2)铝-碳-X三元系合金靶材的制造;先将该Al-C合金锭进行冷轧等冷加工,然后在660~900℃下二次熔化(最好在惰性气体气氛中进行),并加入镁等添加元素,搅拌后进行铸造。二次熔化时,只要使Al-C合金达到添加元素进行搅拌的流动状态即可,以免铝母相中的Al-C相粗化。冷加工的目的是预先使铝-碳针状析出相微细化,防止最终成形加工时出现开裂。 该制备工艺的难点是;如何控制合金的含量。三井金属工业株式会社预先在碳坩埚中生成含碳量较高的铝-碳合金;再熔化时,将铝-碳合金锭与添加元素一起加入铝内,从而精确地控制合金元素的含量。采用该工艺,能够获得组成均匀的铝系合金靶材,并能降低靶材内部缺陷,抑制材料氧化。因而使用该靶材能够形成耐热性及低电阻性优异的铝合金薄膜。

3.2粉末冶金法 粉末冶金制备靶材流程略。

3.2.1铽铁钴-稀土系列磁光靶材

西南交通大学张喜燕等人采用磁悬浮熔炼技术熔炼靶材合金,通过磁场搅拌熔体,保证合金成分均匀。可避免使用石英坩埚所导致的高成本、低效率问题。制造工艺如下。

1)料处理及配料;处理工业纯铁和钴表面,然后将铽、轻稀土、铁放入磁悬浮炉内精练,最后在气体保护下配料。采用磁悬浮熔炼技术熔炼基靶合金,基靶合金成分为铁钴合金,将纯铽和轻稀土线切割成扇片或圆片,对称地镶嵌在铁轱合金基靶刻蚀最大的圆环内制成复合靶,通过调节铽片、轻稀土片的数量与位置或改变基靶合金含量,来改变靶材成分。

2)熔炼;将原料置于坩埚内,磁悬浮熔炼2~3次。 3)制粉;在有氩气保护的真空配料箱内将合金锭粗碎,然后球磨。 4)冷压成型;用冷等静压技术将纯净合金粉料压制成型。 5)烧结;将装靶的石英容器置于高温真空烧结炉内,在1 000℃以上保温烧结5h,然后炉冷。 6)封装;在真空箱内将靶材打磨,抛光,测尺寸,称质量后,取出封装成型。

3.2.2铟锡氧化物靶材(ITO)

铟锡氧化物薄膜具有透明和导电双重优点,被广泛用于太阳能电池、触摸屏、液晶显示器和等离子显示器等领域。近年来,电子行业的迅速发展促进了铟锡氧化物靶材的需求量逐年大幅增加。铟锡氧化物靶材的制备工艺相对较为复杂,分为两部分;首先制成氧化铟锡粉末,然后再将粉末烧结成靶材。

中南工业大学于1999年提出了如下制备工艺; 1)首先用化学方法制成铟锡氧化物化学复合粉末,或者将单体氧化铟粉末和单体氧化锡粉末按9;1质量比混合,制成机械复合粉末。粉末呈球形或准球形,平均粒径为30 ~ 200nm,纯度为99·99%,无硬团聚。 2)将复合粉末在1 350℃氧气氛中进行脱氧处理。 3)把复合粉末装入包套内进行冷等静压。冷等静压介质为油,压力为200~280MPa,保压时间为10min。获得的粗坯密度为理论密度的45%~55%。 4)粗坯装入相应尺寸的容器内。容器与粗坯间隔以金属钽膜或镍膜或铌膜或铂膜,以阻止它们在高温高压下发生反应。 5)抽真空,封装有粗坯的容器。 6)将上述容器放入热等静压炉中进行热等静压处理。热等静压温度为1 100~1 300℃,保温时间为0.5~6h,氩气氛压力为100~120MPa。 7)热等静压后用稀硝酸酸洗去除碳钢容器,剥离金属箔隔层,获得靶材。 8)用线切割方法切割靶材,获得所需尺寸的产品。

冷等静压包套(用橡胶制成)和热等静压容器(由碳钢制成,为方拄形或圆柱形)是由中南工业大学根据靶材特点而专门设计。

采用该方法制备的铟锡氧化物靶材具有密度高、纯度高、尺寸大,生产效率高、成本低等优点。北京市东燕郊隧道局二处防疫站蒋政等人于2001年提出如下ITO制粉和靶材制备工艺。氧化铟锡粉末的制造工艺;

1)将金属铟和金属锡用硫酸、硝酸、盐酸中的任一种溶解。混合比例为氧化铟与氧化锡之比为9:1。 2)溶液混合后,配置成[In3+]为1-3M的溶液。 3)溶液中加入浓度为5%的氨水直至溶液的PH值达到7-7.5。 4)将生成的白色沉淀经洗涤、过滤,然后在80-120℃烘干。 5)最后在500-800℃焙烧,得到ITO粉。所获得的氧化铟锡粉末的BET比表面积在25-40m2/g之间。氧化铟锡靶材的制备工艺; 1)研磨ITO粉(如球磨)。 2)将研磨后的ITO粉放入石墨模具中。 3)在真空或惰性气体环境中,800~960℃条件下,加压烧结1~2h,压力为15~30MPa。 4)加工研磨后得到铟锡氧化物靶材。

为防止铟锡氧化物粉与石墨模具发生反应,在石墨模具内表面喷涂一层金属镍和一层氧化铝,每层厚300μm。株洲冶炼集团有限责任公司龚鸣明等人于2003年也提出铟锡氧化物的制备工艺,如下; 1)制备铟锡混合盐溶液。 2)溶液的均相共沉淀。添加剂为柠檬酸或酒石酸,加热温度为92℃。 3)沉淀物的煅烧。在400~1 200℃,22%~35%氧气浓度下,于隧道窑中煅烧。 4)铟锡氧化物预还原脱氧。脱氧是在温度300~600℃,氢气流量1 ~ 3m3/h,反应时间15 ~60min,脱氧率控制6%~20%的管道炉中进行。 5)铟锡氧化物冷等静压二次成形。将铟锡氧化物粉末,在压力80~120MPa,保压时间1~5min条件下,于冷等静压机中预压成粗坯,再将粗坯破碎成粒,在压力150~200MPa、保压时间5~10min条件下,于冷等静压机中压制成坯件。 6)铟锡氧化物坯件的热等静压烧结。热等静压是将坯件置于具有隔离材料的包套中,在热等静压机中进行烧结。隔离材料为氧化锆和铜箔(或氧化铝和铜箔)等。 7)将靶材脱模。 8)将靶材切割成产品。

3.2.3稀土过渡族金属合金靶材 稀土族指重稀土族铽、镝元素中的至少一种元素,轻稀土族指钕、钐元素中的至少一种元素,过渡族指铁、钴、铬元素中的至少一种元素。稀土过渡族金属合金靶材主要应用于磁光盘记录介质。熔炼稀土过渡族金属合金材料的常用方法有电炉熔炼和石英管真空保护熔炼等。

电炉熔炼;将装有合金原料的坩锅放入熔炼电炉中,再对坩锅和炉膛抽真空或抽真空后充入惰性气体,随后加热熔化合金,再将合金熔液倒入浇注模具中。其缺点是;易造成坩锅材料的污染,及成份和均匀性不易控制。

石英管真空保护熔炼;将合金原料放入石英管中后,抽真空后密封,然后加热至一定温度将合金熔化;熔炼过程中需不断转动石英管,待冷却后打碎石英管。其缺点是;成分难以均匀化,成本高,效率低。

西南交通大学采用磁力搅拌悬浮熔炼和粉末烧结技术制备稀土过渡族金属合金靶,工艺如下; 1)将稀土族和过渡族金属原料或预先炼制的中间合金按设计重量称好放入磁力搅拌悬浮熔炼炉的水冷坩锅中进行感应加热悬浮熔炼,对坩锅抽真空,再充入99.5%纯度的氩气后进行熔炼。熔炼过程中借助磁场作用搅拌熔体,使合金成份更加均匀。称量稀土元素时应考虑熔炼时的烧损量。 2)在真空环境下将合金铸锭粉碎,然后放入球磨机中研磨,获得粒径在0.5~400μm之间的合金粉末。 3)将合金粉末放入模具中进行冷压成型。 4)对冷压成型体放入热等静压烧结炉中进行高温烧结,烧结环境为真空或惰性气体。用真空电子束焊接技术密封烧结包套。 5)对烧结后的成型体进行机械加工。 6)将靶材进行真空塑料封装。

所使用的靶材等静压成型模具由定位钢圈,定位板和橡胶压板组成,并由螺栓紧固密封。热等静压烧结包套用真空电子束焊接密封,可有效解决已有技术中合金熔炼时的材料污染、成分均匀性不易控制等问题,提高了效率,降低了成本。

3.2.4锌镓氧化物陶瓷靶材

清华大学庄大明等人提出的锌镓氧化物陶瓷靶材制备工艺如下; 1)将93.8%(质量百分比)的氧化锌粉末和2%~ 7%的氧化镓粉末混均(粉末纯度均为99·9%)。 2)将混合粉末冷压成型,压力为2.5×106N。 3)将成形的块体在1 000~1 700℃、常压、常气氛下烧结成密度为理论密度96%的块体。该制作工艺相对简单、经济,制成的靶材成分均匀,性能稳定。

3.2.5铝合金溅镀靶材

本文在铸造法一节中介绍了用铸造法和溅射成形法制备铝合金溅镀靶材,铸造法的缺点是靶材易发生偏析现象,影响溅镀薄膜的质量,且溅镀靶表面易产生微颗粒,影响薄膜性质的均匀性。溅射成形法虽然能避免铸造法的缺点,但工艺复杂,制备成本较高,质量不易控制。中国台湾财团法人工业技术研究院采用气喷粉末方法制备铝合金溅镀靶材,能够避免材料偏析和微颗粒现象,生产效率高,成本较低。其制备工艺如下; 1)熔熔金属原料。 2)然后以气喷法将该金属熔液制成金属粉末。 3)筛分合金粉,获得适当粒径的粉末。 4)最后,以真空热压法将该筛分后的金属粉末成形,制成铝合金溅镀靶材。热压成形温度为500~ 650℃,时间为80 ~ 100min,压力为20 ~50MPa;通入氩气作为保护气体,氢气作为还原气体。

4靶材的研究热点

近年来,越来越多的国内外研究人员通过向基靶内添加稀土元素来改良靶材性能,进而提高溅镀薄膜的综合性能。

Ag金属膜具有低电阻、高光反射率等优点,但其缺点是对基板的附着性低,易产生应力变形,且耐热性和耐腐蚀性均较低。日立金属株式会社在Ag合金中添加Sm(杉)、Dy(镝)、Tb(铽)稀土元素,应用该Ag合金靶材获得了低电阻、高反射率、高耐热性、耐环境性,高附着性的Ag合金膜。传统制备金属膜或金属氧化膜电阻器的常用溅射靶材为Cr-Ni-Si,Cr-Ni,Cr-Ni,Cr-SiOx系合金和化合物,但上述靶材的通用性较差,无法达到用一种溅射靶材能同时适合于制备金属膜电阻器和金属氧化膜电阻器,致使工艺复杂,生产成本高。上海交通大学吴建生等人通过向CrNiSi三元合金加入0.1%~3%的镧系和锕系稀土元素,提高了靶材的通用性、精密性和稳定性。

但添加稀土元素也带来了一些负面效应,如;1)电阻增大,并且电阻值随着稀土含量的增加而上升。2)膜的平均反射率下降。由于不同种类稀土元素对电阻值和反射率的影响不同,可通过优化稀土元素来降低上述负面作用,提高溅镀薄膜的整体性能。

5靶材的技术问题

当前溅射靶材制备方面面临的主要技术问题是; 1)提高溅射靶材利用率。 2)在保证高密度、高致密性、微观结构均匀条件下,大面积溅射靶材制作技术。 3)提高溅镀靶材的致密度。 4)降低靶材内晶粒的尺寸。 5)提高溅射速率及溅射过程的稳定性。

6国内靶材的主要研究单位及国内外主要生产商

对国内研究单位的详细掌握,可以寻求恰当的技术合作伙伴。我国大学和研究所已经开发的许多种类靶材并没有见诸于市场,如北京工业大学研制的复合梯度靶,清华大学和西南交通大学研制的铝掺杂氧化锌陶瓷靶材等,即靶材产品研发和市场严重脱节。

7靶材专利问题

目前靶材专利不多,主要为日本和美国所有(日本最多),欧洲和中国也有一些,但数量较少。已公示靶材专利主要集中于保护靶材的制备工艺,少量专利保护靶材材料设计(且主要集中于添加稀土元素,改良原有基靶的性能)。从中国目前国情来看,制备工艺专利仅具有形式上的约束作用,而很难有实质性的制约。因而,靶材的生产不会出现无铅钎料面对的国外专利规避问题。

8靶材的发展趋势

靶材服务于溅镀薄膜,单一的靶材研究毫无应用意义。为适应微电子、信息等行业的发展需求,需要将靶材研究和薄膜研究结合起来,研究靶材成份、性能与溅射薄膜性能间的关系,不断研发满足薄膜性能要求的新型靶材,促进靶材产业迅速发展。

纳米材料是未来材料领域的主导产品,如何将靶材研究与纳米科技相结合,研制出高性能靶材,将是靶材研发的主要发展趋势。