【行业分析】第三代半导体的专利和市场分析
第三代半导体又称宽禁带半导体（Wide-bandgapSemiconductor），是指以SiC、GaN、金刚石和ZnO等为代表的一类宽禁带半导体材料，以区别于以Si、Ge为代表的第一代半导体和以GaAs和InP为代表的第二代半导体材料。
图1 主要的第一、第二和第三代半导体材料
第三代半导体与第一代和第二代半导体相比，在熔点、热导率、电子迁移率以及承受的电压方面都具有优势，如表1所示，因此，引起了世界各地电子厂商和研究机构的广泛关注和研究。
表1 宽禁带半导体材料的特性
LED专利联盟作为行业联盟，对于半导体技术领域的技术进步和市场动态以及市场前景非常关注。因此，我们对受广泛关注的第三代半导体相关的功率电子器件的专利和市场状况进行了初步的分析研究。
图2 主要电子厂商在GaN和SiC功率电子器件领域的专利分布
图2为对LG、Infineon、NXP Semiconductor、Cree、Transphorm、MitsubishiElectric、FujiElectric以及Fairchild等九家主要公司在GaN和SiC基的MOSFET、肖特基二极管和HEMT器件方面的专利分布。
就专利及申请总量而言，Cree、MitsubishiElectric和Infineon居前三位，这三家公司在这三种器件领域的专利都比较多，但各有优势。
MitsubishiElectric在SiCMOSFET方面的专利几乎是Infineon和Cree在该领域的总和；而Cree在GaNHEMT领域持有的专利最多；Infineon在2014年以30亿美金收购了International Rectifier （Infineonacquired IR ），又于今年以8.5亿美元收购了Cree的Wolfspeed（Infineonacquired Wolfspeed）以增强自己在SiC功率器件上的技术实力。未来，Infineon在功率电子器件领域将独占鳌头。而最近，NXPSemiconductor被电信巨头高通以470亿美金的巨资收购（Qualcommacquired NXP），用于拓展电动汽车业务。
表2各主要厂商的器件产品分布
表2是各电子器件公司的产品分布。其中Infineon和STMicroelctronics的产品覆盖了二极管、MOSFET、整流器、三极管、功率模块等各个领域，而且包含SiC基和GaN基两种技术路线。
好了，以上就是小编为你介绍的第三代半导体的专利和市场情况。若想要了解更多详细资料，可以通过下面的联系方式向我们咨询哦！
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文章来源：LED产业专利联盟
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责任编辑：jinnwriter
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