国星光电动作多：愈2亿购置设备持续扩展、投资RaySent研发大功率芯片……
国星光电近日动作频频。
25日，国星光电发布第四届董事会第二次会议决议公告。据公告显示，本次会议通过《关于公司购置生产设备的议案》，同意公司购置生产设备，金额为人民币22，873.86万元及124万美元（折合人民币约840万），用于满足公司封装及组件扩产项目需要，有助于公司继续发挥封装优势，扩大生产规模。
公告称，这将进一步提高公司主营业务的核心竞争力和整体盈利能力，保证利润额的持续增长。
据了解，这是国星光电一年内的第四次扩产。
其扩大生产的决心首先在2015年年末初露，当时国星光电连发3条公告，分别涉及对两个子公司增资及扩产，称以不超过4亿元自有资金投资公司封装项目扩产，设备预计于2016年3月前陆续购置完成、安装调试并投产运行。
2016年4月，国星光电再度公告称扩产，拟投入不超过2.4亿元用于公司封装和组件项目的扩产，扩产项目建设周期为2016年5月~2016年12月。
10月11日，国星光电公告称拟投入不超过4亿元进行公司封装项目的扩产，此次扩产项目建设周期为2016年12月到2017年6月，将用于国星光电白光、RGB封装及组件的扩产，RGB产品类别包括户内与小间距。
此外，董事会还审议通过《关于投资美国RaySent科技公司进行LED大功率芯片研发的议案》。同意公司投资美国RaySent科技公司进行LED大功率芯片及第三代半导体外延技术研发。
RaySent科技是一家致力于研发世界领先的半导体外延、大功率LED芯片及封装等相关专有技术的高科技公司。
公告称，本次合作可提升公司上游技术实力，吸纳高科技人才，促使公司上中下游全产业链做大做强做优，形成市场竞争优势，是公司加强研发实力，落实公司创新战略的重要部署。
另一方面，随着RaySent科技的发展，公司可展望投资盈收预期，增强业务扩张能力，提升公司的产业地位、综合实力及新领域开拓能力，同时也是公司全球化战略的重要一步。
10月26日，国星光电发布《关于取得发明专利证书的公告》。《公告》显示，国星光电于2016年10月25日收到中华人民共和国国家知识产权局颁发的专利证书，具体情况如下：
国星光电表示，上述专利的专利权人为国星光电。其专利的取得有利于保护和发挥国星光电自主知识产权优势，巩固研发及生产工艺创新机制，保持技术领先地位，提升国星光电核心竞争力，对国星光电的生产经营不会造成重大影响。
国星光电25日发布第三季度业绩报告，报告显示2016年1-9月实现营收16.76亿元，同比增长25.64%，实现净利润1.31亿元，同比增长6.59%。营业收入增长主要系LED及外延芯片销售收入增加所致。
国星光电预计，2016年度归属于上市公司股东的净利润16024.25 万元至 20831.52万元，同比增长0.00% 至 30.00%，主要为公司营业收入增长所致。
