【亚成微·方案】RM6334D- ESD测试通过8000V的IC
亚成微电子
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2016-09-13
RM6334D是一款低待机功耗副边反馈开关电源控制芯片，满足六级能效。尤其是芯片通过ESD的测试，达到8000V!
RM6334D 集成有高压功率MOSFET，电流模式PWM+PFM控制，抖频功能可优化EMI表现，打嗝模式能降低系统的待机功耗，极低的启动电流和软启动控制电路保证系统快速安全的启动。另外，该芯片提供了完整的保护功能，包括过流保护、过压保护、过温保护等。
主要应用：机顶盒、光猫、户户通等适配器电源
ESD （HBM) 通过8000V的测试：
RM6334D 芯片特性
完全满足六级能效
ESD(HBM)通过8000V
待机功耗小于65mW （AC264V）
集成650V高压功率MOSFET
超低启动电流（5uA）
逐周期限流
打嗝工作模式
集成软启动功能
集成抖频功能，提高EMI特性
完备的保护功能
欠压保护（UVLO）
过压保护（OVP）
过流保护（OCP）
过温保护（OTP）
以下为12V/1.5A的方案为例：
能效测试：
AC115V： 效率=87% 待机功耗=32mW
AC264V： 效率=86% 待机功耗=64mW
满足六级能效
实物图：
原理图：
