行家说·《2025碳化硅（SiC）衬底与外延产业调研白皮书》

行家说产业研究中心出品

预计发布日期：2025年12月

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第一章概述

1.1 2025年SiC衬底与外延产业总结

1.2 2025年SiC衬底与外延产业大事件及分析

1.3 SiC材料特性与产业链结构概况

1.4 SiC衬底与外延主流厂商与市场格局

第二章 SiC长晶技术进展

2.1 SiC长晶技术路线

2.2 6/8/12英寸大尺寸SiC制备技术进展

2.3 SiC缺陷、良率、厚度等降本技术进展

2.4 SiC长晶技术与设备解决方案进展

第三章 SiC衬底关键工艺技术与设备解决方案进展

3.1 SiC粉料合成技术与设备解决方案进展

3.2 键合衬底技术在SiC籽晶和衬底中的应用

3.3 SiC滚圆、磨床、定位槽、倒角机等技术与设备解决方案进展

3.4 SiC切片技术与设备解决方案进展

3.5 SiC研磨技术与设备解决方案进展

3.6 SiC抛光技术与设备解决方案进展

3.7 SiC清洗技术与设备解决方案进展

3.8 SiC检量测技术与设备解决方案进展

3.9 SiC纯水工程、软件系统、厂务等配套解决方案

第四章 SiC衬底应用方向及市场需求分析

4.1 SiC导电型衬底—功率半导体应用进展及需求规模分析

4.2 SiC高纯半绝缘衬底—射频功率器件应用进展及需求规模分析

4.3 SiC高纯半绝缘衬底—AR眼镜应用进展及需求规模分析

4.4 SiC高纯半绝缘衬底—热场基板应用进展及需求规模分析

4.5 SiC键合衬底—滤波器光电子应用进展及需求规模分析

4.6 SiC高纯半绝缘衬底—激光超透镜应用进展及需求规模分析

第五章 SiC衬底关键耗材技术进展分析

5.1 粉料技术进展（高纯碳粉、高纯硅粉、SiC源粉）

5.2 热场材料进展（石墨、涂层、保温毡等）

5.3 切割技术进展（SiC切割微粉、金刚线、激光切割等）

5.4 研磨技术进展（研磨液、研磨垫、砂轮等）

5.5 抛光技术进展（抛光液、抛光垫等）

第六章 SiC外延技术进展分析

6.1 4H-SiC同质外延技术要点与进展

6.2 3C-SiC同质外延技术要点与进展

6.3 超结SiC器件外延技术要点与进展

6.4 SiC键合衬底外延技术要点与进展

第七章 SiC外延关键设备与耗材

7.1 外延设备

7.2 保温毡与石墨件

7.3 检量测设备

7.4 研磨与抛光设备

第八章全球及中国 SiC衬底与外延项目布局

8.1 2024 年中国（大陆）SiC 衬底与外延项目

8.2 2024 年国外 SiC衬底与外延项目

第九章 SiC衬底和外延市场产业规模及供需分析

9.1 2025-2030 年SiC衬底和外延市场规模预估及价格趋势分析

9.2 2025-2030 年SiC衬底和外延产能、需求规模分析

第十章 SiC 材料主要厂商及策略发展分析

10.1 SiC 材料产业重要玩家分析：SiC衬底

10.2 SiC 材料产业重要玩家分析：SiC外延

10.3 SiC 材料产业重要玩家分析：SiC衬底制程相关设备

10.4 SiC 材料产业重要玩家分析：SiC外延制程相关设备

10.5 SiC 材料产业重要玩家分析：SiC材料检量测设备及配套解决方案

10.6 SiC 材料产业重要玩家分析：SiC制程相关热场材料

10.7 SiC 材料产业重要玩家分析：SiC制程其他相关耗材

第十一章 SiC半导体供应链信息库

11.1 SiC衬底制造商列表

11.2 SiC外延制造商列表

11.3 SiC衬底制程设备制造商列表

11.4 SiC外延制程设备制造商列表

11.5 SiC材料检量测设备及配套方案制造商列表

11.6 SiC材料制程相关热场材料制造商列表

11.7 SiC材料制程其他相关耗材制造商列表

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