近日，“行家说三代半”发现，深圳平湖实验室、江苏集芯、东莞中科华芯相继公布了关于8英寸碳化硅的技术/产能进展：

深圳平湖实验室：首次研制商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延；

集芯先进：自研的8英寸液相法（LPE）高质量碳化硅单晶出炉；

东莞中科华芯：将建设年产2万片的8英寸SiC衬底中试线，预计2025年Q2投产。

深圳平湖实验室：

研制8英寸4°倾角4H-SiC上GaN外延

8月7日，据“深圳平湖实验室”官微报道，他们在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，于国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延，且具备优秀的材料特性。

据介绍，该成果打破了大尺寸GaN与SiC材料单片集成的技术瓶颈，为GaN/SiC混合器件的发展及其产业化进程奠定基础，可批量应用于大尺寸、高质量GaN外延材料的制备，为现有硅基GaN技术路线提供了一种极具竞争力的替代方案。具体来看，这一进展的突破性就在于以下两个方面：

缺陷密度显著降低：GaN外延材料中的缺陷密度下降10-15倍，有望从根本上解决GaN器件的可靠性问题，并可通过10年以上的寿命验证；

散热性能大幅提升：SiC衬底的高热导率将进一步提升GaN器件的功率密度与集成度。

集芯先进：

8英寸液相法碳化硅单晶成功出炉

8月1日，江苏集芯成功出炉8英寸液相法（LPE）高质量碳化硅单晶。仅用半年时间，江苏集芯在6/8英寸物理气相传输法（PVT）已实现量产的基础上，完成了液相法工艺从6 英寸到8英寸的研发跨越。

据了解，目前全球范围内，仅有极少数顶尖机构曾试制出液相法晶体，真正迈入8英寸级的仍属罕见。于江苏集芯而言，此次突破将为他们未来低成本、低缺陷、易掺杂的碳化硅晶体生产打通“快车道”。

“企查查”显示，江苏集芯先进材料有限公司成立于2023年，致力于第三代半导体碳化硅的材料研发与制造，产品包括不低于6N的高纯SiC合成粉料，6/8英寸SiC籽晶、晶锭及衬底片，以及高纯石墨基碳化钽涂层等。产能建设方面，其一期建设有效产能15万衬底片/年。

东莞中科华芯：

将建设年产2万片的8英寸SiC衬底线

据“证券之星”报道，东莞中科华芯半导体科技有限公司于近日获得天使轮融资，由松禾资本独家投资，金额达数千万元。

对于融资资金用途，东莞中科华芯表示，将用于建设年产2万片的8英寸SiC衬底中试线，预计2025年Q2投产，同时加速12英寸衬底的技术攻关。

此外，他们计划与东莞松山湖半导体产业园合作，共同搭建“研发-生产-应用”产业链生态，目标是三年内实现SiC衬底国产化替代率提升至15%，打破海外企业垄断格局。

据介绍，该公司核心团队来自中科院半导体研究所，专注于第三代半导体碳化硅衬底材料的研发，其自主开发的8英寸SiC衬底晶体缺陷密度低于0.5个/cm²，达到国际先进水平，且已通过某头部功率器件厂商的验证测试。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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