插播：英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导体、京东方华灿、镓奥科技、鸿成半导体、中科无线半导体、聚能创芯、铭扬半导体、镓宏半导体、镓未来、氮矽科技等企业已参编《2024-2025 氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。

近期，英诺赛科、瑞萨电子、南京芯干线、镓未来、氮矽科技等企业公布了氮化镓的新产品/新方案，在技术创新与市场应用等方面实现了新的进展：

英诺赛科：

发布3款GaN新品

近日，英诺赛科相继推出来3款氮化镓相关的产品，一款为300W GaN电机驱动评估板，其已被美的及维京应用；两款为顶部冷却En-FCLGA封装产品，可实现太阳能微型逆变器、储能系统和最大功率点跟踪优化器的最高效率。

· 300W GaN 电机驱动评估板

此次推出的 INNEMD310V3A1 评估板采用700V INN700TK350B GaN，可在台架测试中轻松评估高达 300W 负载的组件。据悉，700V INN700TK350B GaN可轻松替代 MOS 或 IGBT 解决方案，并显著提高效率，可用于家用电器（冰箱、空调、洗衣机和高速吹风机）以及工业应用场景中所有类型的电机驱动和逆变器中。

据介绍，得益于氮化镓没有反向恢复的优异特性，加上超低的开通和关断损耗，对比同规格MOS/IGBT器件，高压氮化镓的损耗减少50%以上，可实现高性能、无散热器设计，节省BOM以及散热器装配工序成本。

整体来看，该评估板具备四个特点：低损耗、高转速、简化测试流程、优化布局。与此同时，该评估板具备1200 rpm电机转速，尺寸为160*100*33 (mm)，PWM频率可以提升到100KHz，满载效率高达98% @ 310 Vdc。基于优异的性能，该评估板已应用于美的200W抽油烟机及维京驱动变速高频器中。

·两款顶部冷却En-FCLGA封装产品

这两款新品分别是INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD，是业界首款硅场效应晶体管（SFET）的点对点（P2P）替代品，可立即提升效率并提高功率密度，在36V至80V的输入条件下，系统功率损耗可降低50%以上。由于是基于100V 双冷却 En-FCLGA 封装而研发，两款产品都采用了先进的100V E-mode GaN技术、100V Dual-cool En-FCLGA技术。

性能方面，两款新品具有超低导通电阻、超低驱动和开关损耗、紧凑尺寸设计、双面散热的特点，系统效率均大于95.5%，对PCB Layout友好，支持光伏优化器MPPT应用。基于此，英诺赛科表示，这两款产品将彻底改变太阳能和储能应用，可实现太阳能微型逆变器、储能系统（ESS）（直流输入）和最大功率点跟踪（MPPT）优化器的最高效率。

瑞萨电子：

推出3款新型高压650V GaN FET

7月1日，瑞萨电子推出3款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。

这三款产品都基于SuperGaN®平台打造。该平台采用经实际应用验证的耗尽型（D-mode）常关断架构，由瑞萨旗下的Transphorm公司首创。与硅基、碳化硅（SiC）和其它GaN产品相比，基于低损耗耗尽型技术的产品具有更高的效率。

瑞萨电子表示，此类第四代增强型（Gen IV Plus）产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。

性能优势上，新型 Gen IV Plus 产品裸片尺寸比上一代Gen IV平台缩小14%，实现30毫欧的更低导通电阻（较前代降低14%），且导通电阻与输出电容乘积的性能指标（FOM）提升20%。3款产品还采用紧凑型TOLT、TO-247和TOLL封装，为1kW至10kW电源系统提供广泛封装选择。

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南京芯干线：

推出350WGaN电源模块

6月30日，南京芯干线推出了350W电源模块，可适用于电动摩托车充电电源、通讯基站备用电源、服务器机房备用电源等领域。

具体来看，该模块采用两颗X3G6509B8氮化镓开关管驱动PFC升压，搭配两颗XD6506F8碳化硅二极管整流，同时以两颗X3G6509B8氮化镓器件构建LLC半桥电路，实现48V/7.3A稳定输出，转换效率高达96%，完美适配大功率POE设备及USB PD3.1 240W快充场景。

基于此，该模块具备电池充电快、体积小、重量轻、功率密度高、噪音小、转换效率高、可靠性高、抗震能力强和完善的保护功能。南京芯干线明确，该模块凭借创新的 PFC+LLC 电源架构与同步整流技术，为大功率供电需求带来卓越解决方案。

资料显示，南京芯干线成立于2020年，深耕于功率半导体Si MOS & IGBT、GaN HEMT、SiC MOS & SBD、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模块的研发和销售，产品被广泛应用于消费、光伏、储能、汽车、Ai服务器、工业自动化等能源电力转换与应用领域。

镓未来：

GaN器件被联想采用

7月2日，镓未来携手联想打造的拯救者245W氮化镓充电器正式推出。镓未来提及，这款芯片之所以能同时实现“小身材、高性能、大能量”的三重突破，其核心模块正是由镓未来集成式Cascode氮化镓功率器件实现强力驱动。

在充电器的适配器内部，PFC级关键器件采用一颗镓未来G2N70R150PD-H功率器件，LLC谐振拓扑核心器件采用两颗镓未来G2N70R240PB-H功率器件，两种器件耐压均为700V，瞬态耐压均可达800V，均支持传统硅MOS驱动，使用更加简单，能够大幅提升系统可靠性。

据介绍，该充电器比联想原装230W方口适配器体积缩小约40%，却拥有245W巅峰输出，功率密度1.10W/cm³，仅需30分钟即可给拯救者Y7000系列游戏本电量从0%超快冲至90%。

镓未来进一步表示，联想拯救者245W氮化镓适配器的成功上市，是镓未来与联想深度合作的重要里程碑，镓未来将持续以行业领先的氮化镓功率器件技术，为联想及全球合作伙伴提供更优秀的电源产品和解决方案。

氮矽科技：

发布增强型硅基氮化镓晶体管

近日，氮矽科技发布了一款650V, 30mΩ增强型硅基氮化镓晶体管——DX65TA030。目前，该新品已进入量产阶段。

产品优势方面，DX65TA030采用TOLL封装与宽禁带技术，能实现简单、快速且可靠的解决方案，具备最大30mΩ的低导通电阻，同时能承载高达60A的大电流。与此同时，该产品具备以下特性：

·易驱动，超高开关频率；

·低栅极电荷，低输出电荷；

·散热卓越，结构简单，布板便捷；

·具备低电感特性，可实现快速开关响应；

·无体二极管，零反向恢复损耗。

DX65TA030还适用于数据中心电源、AC-DC转换器、PFC电路、逆变器、Class-D等应用领域。截至目前，氮矽科技已发布 E-mode GaN HEMT 系列产品共18款，覆盖电压范围650V~700V，方便客户根据自身的产品定制选择。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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