插播：英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等已确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。

在数据中心能耗压力加剧的背景下，氮化镓技术正引领服务器电源效率的革新。

近日，长城电源及元脑服务器等厂商宣布实现GaN技术的导入与量产部署，推出高效电源方案。与此同时，英诺赛科、罗姆、英飞凌及德州仪器等行业龙头企业也纷纷推出创新的GaN解决方案，助力数据中心电源系统性能的升级，详情请看：

长城电源、浪潮元脑

搭载GaN方案

▲ 元脑服务器全面导入氮化镓GaN钛金电源

4月3日，元脑服务器官微宣布，他们已全面导入GaN钛金电源方案，提供1300W、1600W、2000W多种规格选择。元脑服务器介绍道，该方案利用氮化镓材料的高频低损特性，在智算中心主流通用服务器的20%-50%典型负载区间内，稳定实现约96%的超高电源转换效率，超过全球最高能效权威标准80PLUS Titanium认证基值，重新定义了服务器能效标准。与传统铂金电源相比，钛金电源在轻中载电能损耗方面减少了30%，单台服务器年节电量达数百千瓦时，万台规模数据中心每年可节省数百万元电费，推动智算中心PUE达到1.2以下，为数据中心节能降碳提供强力支撑。

▲ 长城电源采用纳微半导体GaNSense™技术

3月12日，纳微芯球官微宣布，纳微半导体的GaNSense™技术助力长城电源开发出超高功率密度的2.5kW模块电源，专为AI数据中心设计。该电源尺寸仅为1/4标准砖大小，却能提供2.5kW的恒定功率，峰值功率达3kW，功率密度达到92.36W/cm³，效率高达97.9%。GaN技术的高频开关特性使得电源在小体积内实现高效率和高功率输出，同时降低能耗，满足AI数据中心对算力和能效的严格要求。

英诺、罗姆、英飞凌、TI等

盘点代表性厂商的GaN方案

目前，行家说产研中心正在紧锣密鼓地推进编撰《2024-2025年氮化镓（GaN）产业调研白皮书》。据初步调研，GaN核心价值体现在数据中心三阶段转换环节，通过优化AC/DC与DC/DC转换架构实现系统级节能突破。

插播：英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等已确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）

在这一趋势下，台达电子、英特尔和惠普等OEM企业也正在引导服务器和电源公司采用GaN，并使GaN成为行业“标准”。

此外，英诺赛科、罗姆、英飞凌及德州仪器等行业龙头企业均在今年推出了创新的GaN解决方案，助力数据中心电源系统性能的全面升级：

● 英诺赛科：推出100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，采用双面散热封装，显著提升功率密度和效率，适用于AI服务器和48V基础设施的高效能源转换。该器件在48V/25A条件下稳态损耗减少35%以上，系统级效率可达98%。

● 罗姆：EcoGaN™产品被村田制作所AI服务器电源采用，助力实现小型化和高效率工作。该GaN HEMT具备高速开关性能和低损耗特性，可降低开关损耗并削减磁性元器件尺寸，显著提升电源转换效率。

● 英飞凌：通过CoolSiC™和CoolGaN™产品组合，推动AI服务器PSU架构升级。其方案涵盖单相和三相架构，支持更高功率密度和效率，最高可达22kW输出功率，满足AI服务器对高功率和动态响应能力的需求。

● 德州仪器（TI）：推出集成GaN功率芯片系列，包括LMG3650R035等产品，集成了高性能栅极驱动器与650V GaN FET，实现超过98%的效率和100W/in³的功率密度。其方案支持戴尔1.8kW和Vertiv 5.5kW服务器PSU，显著提升系统级效率和功率密度。

这些方案的推出标志着GaN技术在数据中心电源领域的深度渗透，为行业节能降碳和性能提升提供了强有力的技术支撑。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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