近日，“行家说三代半”在进行产业调研时发现，国内又有1家企业成功获得了8英寸碳化硅设备订单。

据悉，华卓精科发布了国内首台8英寸碳化硅激光退火设备，已经顺利通过中国台湾某客户验证，已开展交付，这也代表国产8英寸碳化硅关键设备工艺成功实现自主化，深入迈进高端设备制造领域国际前沿。

此外，“行家说三代半”发现，这2家企业的合作还透露了不少行业趋势信息，而华卓精科研发的激光退火工艺设备还将成为8英寸碳化硅晶圆量产化的关键，具体情况如何？以下我们将一一解读。

国内首台8英寸激光退火设备

已通过台湾客户验证

在碳化硅高压功率芯片制造工序中，用于背面金属工艺的激光退火工序是不可或缺的关键一环，它直接影响到SiC芯片应用的可靠性和稳定性。在此之前，该领域高端设备市场主要由国外巨头垄断，所以加快该工艺的核心技术自研，实现自主可控十分必要。

据华卓精科透露，经过多年研发突破，华卓精科推出了国内首台8英寸碳化硅激光退火设备，在一定程度上打破了国外技术垄断，实现国产化替代，在同类产品中属于先进水平。

目前，华卓精科已经交付了8英寸碳化硅激光退火设备至国内头部Fab，该客户将用其完善8英寸碳化硅芯片工艺平台布置，以实现产能规模落地。与此同时，华卓精科将发挥自主研发和技术领先优势，为客户提供高效率、多方位、智能化的8英寸碳化硅激光退火解决方案，实现高质量交付。

除此之外，华卓精科还与该客户建立了战略合作伙伴关系，双方将在碳化硅晶圆制备领域发挥各自优势，进一步解决8英寸碳化硅晶圆领域的加工难题，尽早畅通规模量产的关键动脉，助推碳化硅产业实现更好发展。

值得关注的是，截至目前，全球已有31家企业正在或计划推进8英寸SiC晶圆产线建设。不少厂商对我们透露，今明两年8英寸碳化硅衬底产能可能会全面铺开，不仅6&8英寸的转换时机将大幅提前，并且8英寸SiC的出货速度和质量将成为竞争关键。

对此，华卓精科也认为，市场对于8英寸SiC的呼声越来越高，而随着SiC衬底产能逐渐释放，不少8英寸SiC晶圆线有望提前投产。但是，新能源汽车、数据中心等应用领域对器件质量要求严苛，用于SiC功率器件制造的退火工艺等设备，必须更新升级以满足8英寸SiC芯片的合规量产需求。

加入碳化硅大佬群，请加微信：hangjiashuo999

聚集碳化硅器件制备难题

华卓精科以6大优势破局

有行业人士透露，在碳化硅功率器件研发制造中，碳化硅芯片接触主要有 “肖特基接触”和“欧姆接触”，制备整流特性良好的肖特基接触、低电阻高稳定特性的欧姆接触，是碳化硅器件发挥耐高温、高频率、大功率、低功耗优势的关键条件。

华卓精科也认为，要制造超高频、大功率碳化硅器件，实现欧姆接触是关键工艺之一。但是，目前改变金属与碳化硅接触状态的退火方案既存在技术路线难点，也容易存在加工遗留问题：

● 传统的快速热退火等高温退火方案，一般是针对整个碳化硅衬底进行加热，然而，要想实现欧姆接触，加工温度必须达到1000℃左右，这不仅会对衬底表面沉积金属造成破坏，还容易产生退火范围不可控等问题，效率和良率较低。

为此，引入激光退火工艺成为新的解决方案。相比起快速热退火工艺，激光退火工艺具有加热区域易控制、不影响器件正面、退火时间极短、杂质不扩散等优势，可以获得更加稳定、均匀的欧姆接触，且在加工效率和良率上表现优异。

图：中国科学院微电子研究所、都灵理工大学、行家说三代半

● 另一方面，在制备欧姆接触电极时一般采用碳化硅衬底的碳面，所以在进行高温退火时，通常会有较多碳单质析出，并在表面处形成碳团簇，需要通过改善退火工艺等方式进行改良。

值得关注的是，华卓精科聚焦碳化硅功率器件制备的欧姆接触环节，推出了自主研发的UP-SCLA02激光退火设备，它不仅是国内首台8英寸SiC激光退火设备，而且具备整体化的系统工艺解决方案，为优化现有退火工艺、推进8英寸量产落地提供有力支持：

● 兼容6/8英寸碳化硅晶圆退火加工，这有利于器件厂商在进行8英寸产能释放时，直接过渡激光退火工艺进行欧姆接触加工，避免额外设备消耗；

● 提供紫外/绿光双波长激光可选配置；一般而言，对SiC晶圆进行激光照射时，不同紫外/绿光激光及波长会影响穿透深度、金属膜吸收率，因此，根据衬底厚薄、加工条件等，用户可以科学选择相应激光类型进行加工；

● 工艺腔室氧含量控制；该设备能严格控制腔体含氧量，有效减少表面晶圆退火的碳析出量和分布，改善碳团簇问题；

● 精确可靠处理超薄、大翘曲、键合晶圆；通过对晶圆表面及背面的的精确定位，华卓精科研发的激光退火设备可以精细化、智能化控制加热区域及步骤，有效保证晶圆良率；

● 可实现低热预算、低比接触电阻率；华卓精科自主研发的激光退火工艺技术，能良好控制热量输出，并大幅降低接触电阻，实现良好的欧姆接触；

● 平台化设计，易于拓展至其它退火工艺；据研究发现，激光退火不仅可用于碳化硅器件背面工艺的欧姆接触，还可以用于表面工艺的热处理环节，实现激活金属离子、修复晶格缺陷的效果，未来，华卓精科将持续研发激光退火工艺，实现一体化应用。

此外，华卓精科还透露，目前他们的碳化硅激光退火设备已经在光斑能量均匀性、退火温度均匀性控制等方面取得突破性进展，获得多个客户认可。另一方面，面向功率半导体制造的晶圆键合设备也取得了进展，键合精度、键合缺陷、键合能等指标迈上新台阶，接近国际先进水平。

接下来，他们将在碳化硅激光退火等领域进一步加大技术创新与研发力度，持续开展技术迭代与升级，提升相关设备产品的技术性能，为碳化硅产业从6吋向8吋迈进提供更多助力。

·END·

转发，点赞，在看，安排一下

其他人都在看：

又投145亿，该SiC企业第6次扩产

进军电驱！2家国内SiC企业达成合作

7家SiC&GaN厂商公布新技术：车规级/1200V/效率超99%…

喜欢此内容的人还喜欢 不喜欢

不喜欢

不喜欢

行家说三代半 向上滑动看下一个

人划线

,选择留言身份