前几日，国内新增了3个GaN项目（.点这里.）；“行家说三代半”于近日发现，行业内还有4个GaN项目公布新进展，涉及外延、芯片及器件环节。

山东菏泽

新增GaN生产线

据“菏泽市牡丹区吴店镇”官微消息，2月26日上午，吴店镇举办2024年春季重点项目建设现场推进会，其中涉及一个GaN项目。

据介绍，菏泽市牡丹区砷化镓半导体项目，是由山东水发联合台湾半导体龙头企业共同投资建设，项目总投资35亿元，计划分两期实施——

● 一期工程计划投资15亿元，建设4/6寸砷化镓生产线；

● 二期工程计划投资20亿元，建设4/6寸第三代化合物半导体GaN和SiC生产线，主要生产功率半导体器件及耐高压新能源汽车逆变器，以满足多元化市场需求。

二期工程计划2026年下半年开工建设，预计2028年上半年投产，二期工程量产后年产值达30亿元。

晶湛半导体GaN项目

已竣工验收

2月21日，据江苏“独墅湖科创区发布”官微消息，晶湛半导体氮化镓外延片生产扩建项目已于2024年1月15日取得竣工验收备案证。

据介绍，该项目于2021年11月开始建设，占地面积16.5亩，总建筑面积2.2万平方米，总投资2.8亿元，预计年产6英寸氮化镓外延片12万片，8英寸氮化镓外延片12万片。

晶湛半导体成立于2012年，拥有国际先进的氮化镓外延材料研发和产业化基地，也是国际上目前唯一可供应300mm 硅基氮化镓外延产品的厂商。2022年11月，晶湛半导体总部大楼顺利封顶，项目建成后，将成为国内规模最大的氮化镓电力电子材料和微显示材料生产基地。2013年至2023年，晶湛半导体已完成8轮融资，近3轮融资规模皆为数亿元人民币。

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士兰集昕GaN芯片项目

年产量将达1万片

2023年7月，杭州市生态环境局公示了“士兰集昕氮化镓芯片项目”环评表。

据公告，“硅基氮化镓（GaN）HEMT结构电力电子芯片技术改造项目”总投资约1.02亿元，将利用士兰集昕现有土地和厂房，在已有的芯片产品研发平台和芯片生产线的基础上，引进具有国际先进水平的光刻机、刻蚀机、金属溅射台等设备11台（套）， 购入国产设备清洗机1台（套），形成新增年产1万片硅基氮化镓（GaN）HEMT结构电力电子芯片的生产能力。

企查查显示，士兰集昕成立于2015年11月，属士兰微控股子公司。公司产品主要包括高压集成电路和电源管理集成电路芯片、各种先进的功率半导体器件芯片等。其中，其硅基氮化镓（GaN）HEMT结构电力电子芯片成功揽获2023年度杭州技术成果创新与促进奖获奖。

新加坡GaN科研中心

将于2025年投入运营

2月26日，据外媒报道，新加坡贸易和工业部长颜金勇周一（2月26日）表示，新加坡的氮化镓新技术中心预计将于2025年投入运营，目前该设施正在装修中。

据“行家说三代半”此前报道，该研发中心于2022年10月开始建设，总投资约8500万美元（约6.14亿元人民币）；此外，该中心还将采用由南洋理工大学和DSO国家实验室开发的GaN技术，以支持公司进行原型设计和商业化。

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