
回首2023,碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步?出现了哪些变化?2024将迎来哪些新机遇和新挑战?
为更好地解读产业格局,探索未来的前进方向,行家说三代半、行家极光奖联合策划了《行家了望——2024,火力全开》专题报道。
本期嘉宾是蓉矽半导体副总经理 高巍。接下来还将有更多的领军企业参与《行家了望》,敬请期待。

产品获客户采用及泛认
车规、产能、可靠性三线并举
行家说三代半:过去一年,贵公司主要做了哪些关键性工作?2023年贵公司取得了哪些成绩?你们实现增长的战略是什么?
高巍:过去一年,蓉矽半导体的成绩和战略主要有:
● 第一个方面,是在产品端。第一代产品在内部经过严格的考核和测试实现了从研发到量产,开始在市场上来进行一系列的推广,并在光伏、储能、充电桩等领域得到了客户的认可,且已经开始被客户采用。
● 第二个方面,对于公司的内部来讲,我们在2023年完成了包括ISO 9001 、14001和45001的三体系的建设,同时也完成了知识产权贯标的工作,完善了内部管理体系。
● 第三个方面,在供应链的管理上。我们在2023年1月跟台湾汉磊科技签署了战略的合作协议,为今后产品的保供保质提供一个稳定的坚实基础,这是在供应链上取得的关键成绩。
● 第四个方面,主要是沿着我们自己既定的方针,沿着开发高可靠性的产品以及高质量的产品,具备与国际同类产品竞争的开发路径不动摇,这应该是我们未来整个在2024年的一个主要战略目标。
国产器件陷入“低价怪圈”
蓉矽3大对策谋求高质量发展
行家说三代半:您认为2023年整个行业有哪些进步和挑战?
高巍:国产碳化硅功率半导体器件在去年取得了较好的发展,但同时也面临竞争白热化等难题:
2023年整个碳化硅功率半导体器件,尤其是国产的碳化硅功率半导体器件已经在很多公司都实现了量产,但一些小批量的市场推广才刚开始,就已经进入到一个白热化的价格竞争状态,产品定价参差不齐,尤其是同质化竞争已经非常严重。
我们在市场上也遇到过这样的一个现状,很好的一个产品,很好的市场,但是价格却一年跌了几次的价格,在这样一个发展的状态下,我从专业的角度来看,整个的成本下降已经完全脱离了半导体器件该有的一个成本逻辑关系。
我们知道任何一个功率半导体的降价都是从技术的升级换代带来整个的Die Size尺寸的缩小,是沿着这样一个路径在走。那么现在照整个国产的工艺水平来讲,比导通电阻下的成本,按道理来讲,整个的成本不应该是这样的价格,但是市场上的成本已经完全脱离了该有的成本构成,所以说这种竞争它是一个非良性竞争,我觉得在这样的一个环境下会带来非常不好的现象。
在这样的一个环境下国产SiC功率半导体器件未来的发展方向到底应该在哪里?没有一个良好的市场环境,没有一个好的利润补给,如何去完成产品的研发迭代,如果大家所有的产品都是低价脱离成本,脱离科学的逻辑去无底线的降价,那么带来的损失仍然是中国碳化硅功率半导体器件的整个产业。
行家说三代半:在这样的背景下,蓉矽半导体将有哪些对策?
高巍:面对这样一个残酷的竞争环境,我们自己的做法是:
● 蓉矽半导体所有产品的开发全部是正向开发,不是对标国外的某一类产品去做对标的新产品。现在我们的做法是全面依托于应用的场景,在应用场景下开发出具有针对性的有特色的产品来,那么客户在使用上才能够显示出碳化硅功率半导体的该有的性能优势;
● 高可靠性是工业和车规的一个门槛,无底线的价格下降,那么带来的只是品质的下降和可靠性的下降,我们蓉矽半导体不会这么去做,所以我们仍坚持自己的高可靠性高品质的要求;
● 最后,把竞争对手看得很清楚,竞争对手到底是国产的所有同类公司还是国际上的竞争对手,这是很重要的一点。从今天的市场的份额来看,国产的碳化硅功率半导体所占的市场份额只有两成左右,那么在这两成范围内,所有的国产的功率半导体器件去做恶性的竞争,那么带来的最终结果无非就是国产替代国产了,失去了高质量国产替代的初衷。
行家说三代半:在对标国际一流厂商方面,蓉矽是怎么做的?
高巍:欧美日的国际大企业,他们占了98%的市场份额,所占的市场份额才是我们要努力去竞争,或者是努力去挖掘的一个市场,把我们的竞争对手放到这样的一个位置,把整个国际大企业作为我们的目标,我们去竞争,去努力的开发自己的特色产品,努力使自己的产品达到和国际同类产品相当的一个水平。
这个水平不仅是电学性能,更是在品质、可靠性以及供应链方面上,在这样的基础上,我们才有可能真正的去竞争国外的产品。只有把国际大公司作为竞争目标,你才有可能知道自己该做什么,该把产品做到哪一个等级上。从我们自身来讲,内部建立完整的质量体系,可靠性标准,对外建立供应链保证体系,为我们的工业级和车规级需求增长最好了准备,打好了基础。除自己产品的特色以外,更重要的还有产品的品质到底应该到一个什么水平上,这种品质保证不仅是靠性能设计上的保证,更应该靠的是供应链的保证,从材料端到制造端到设计端,整个的产业链都要完整的配合,才能达到这样一个高品质的水准,所以我们2023年在供应链上做大量的工作,以保证我们在未来2024年和2025年的成长,实现一个高质量的稳定的产品保障的供给,这才是我们要做的一个事情。对标国际一流厂商的核心是“高质量”,国产替代的核心也是“高质量”。

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破解国产SiC“上车难”
蓉矽提出三大策略
行家说三代半:未来几年整个行业将面临的挑战有哪些?贵公司将如何面对并解决挑战?
高巍:碳化硅功率半导体器件未来的所面临的挑战就是新能源汽车的挑战。我们知道碳化硅功率半导体器件最大的市场份额是在新能源汽车上,那么所有人的目标都应该看到自己的产品如何、什么时候才能上到新能源汽车里去,这才是我们面临最大的挑战。
今天整个的新能源汽车里,OBC的应用或许会有一些少量的国产的器件在使用,但是最大的份额——主驱,也就是电机控制的部分,这一部分的碳化硅功率半导体器件到今天仍然没有国产的,所以我们的目标和挑战就是在这里!如何实现国产的碳化硅功率半导体器件可以上到主驱逆变里,这才是我们面临的挑战。
面对挑战,蓉矽半导体的应对策略主要有3大方面:
(1)AEC Q-101只是一个门槛,跨过这个门槛,就是如何的去保证你的每一颗产品,甚至每一个批次的产品都能够达到同样的标准,同时保证个位数的ppm失效率,这才是上新能源汽车的主要挑战;
(2)质量管理体系建设是关键。从小批量到大批量的发展,完整有效的质量管理体系是产品的高可靠性,高品质的保证,我们已经好了充足的准备;
(3)全供应链TATF16949是我们现在经过4年的时间打造的,整体供应链都是要满足这样的一个标准才是我们的合作伙伴。

第三方AEC-Q101车规级可靠性报告:蓉矽NC1M120C40HT 1200V 40mΩ SiC MOSFET
行家说三代半:2024年,贵司定下来了哪些规划和目标?
高巍:蓉矽半导体在2024年仍坚持一贯做法,也就是“一代量产、一代研发、一代先进”的三代并行方式往前推进。
在2023年我们的“一代量产”即第一代1200V系列的碳化功率二极管、MOSFET已经实现了量产,并在市场上得到认可。在此基础上,按照我们的目标,2024年的下半年,我们的第二代产品,也就是我们“一代研发”的产品也将推向市场。
同时在2024年我们将在“一代先进”的研发上走向更大的一步。我们将会在围绕在沟槽Trench MOS产品的设计与开发上,将和台湾汉磊科技进行一个深入的合作,共同开发验证Trench工艺平台,尽快推出自己的Trench MOS产品。

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