1月25日，据重庆日报报道，平伟股份旗下SiC器件设计及封测、IGBT器件及模组等项目的研发生产取得了一定成果。

据悉，平伟股份的SiC产品目前已实现高可靠性、小型化封装工艺，并进入量产阶段，可实现生产100万件/月，销售收入300万元/月的规模。

官网资料表明，平伟实业股份成立于2007年2月，并于2023年12月在重庆证监局进行上市辅导备案登记，拟首次公开发行股票并上市。据该公司执行董事张成方透露，平伟股份现拥有53条封装生产线和7条中试生产线，年产销各类功率半导体器件200亿只。

张成方在2023年8月接受采访时表示，他们通过创新研发的晶圆减薄和SiC欧姆接触激光退火工艺，已经生产出薄片SiC二极管，可应用于充电桩、车载充电器等设备上。

事实上，除了SiC器件封测外，平伟股份还有GaN封测业务。据“行家说三代半”不完全统计，平伟股份曾建设2个SiC/GaN项目：

6英寸SiC芯片项目

总投资10亿，月产2万片

据媒体报道及政府公开文件披露，2019年平伟股份曾计划建设“６英寸SiC芯片生产线项目”，建设周期为2019年至2022年，总投资10亿元，项目占地300亩，总基建面积75亩，初步建成月产7000片SiC及特殊工艺芯片、5.3万片硅基芯片生产装置，完全建成后满产能可达６万片/月，其中SiC芯片为２万片/月，预计可实现年产值46.8亿元。

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目前，该项目已经实现批量生产，正在正常运行中，平伟股份已经推出多款SiC MOSFET、SiC二极管产品。未来，平伟股份将聚焦SiC功率半导体产品研发与终端应用，打造拥有核心竞争力的SiC功率器件IDM业态。

射频芯片及模组产业化项目

总投资5亿元

据重庆市环境保护局环评文件披露，2020年9月，平伟股份“射频(5G)前端芯片及模组产业化项”已经通过环保评审，正在建设当中。

据悉，该项目总投资5亿元，建设周期为10个月，占地面积为1.1万平方米，建筑面积为2.2万平方米，新建2层生产车间及配套建筑设施，新增贴膜机、减薄机、划片机等设备共7百多台，将打造5G 电子产品及模组生产线。其中，表面贴装半导体器件及模组产线预计消耗半导体芯片381亿只/年，大功率半导体器件及模组产线预计消耗半导体芯片24亿只/年。

该项目建成后，可实现年产 5G 射频表面贴装标准器件 2亿只，5G 射频配套大功率器件 12亿只，5G 射频器件 10亿只，SIP 模组 600 万只，IGBT功率模块 40 万只。其中，5G 射频配套大功率器件规格型号为SiC、GaN 芯片及封装。

据媒体报道及官网透露，该项目于2020年5月开始建设，并于2021年6月完成厂房主体工程合格验收，预计2021年年底投入使用。但在2023年3月，平伟股份决定在该项目现有封装产线基础上，计划追加投资9.5亿元进行产品升级，未来投产达效后，可实现年产值30亿元。

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