12月14日，行家说三代半年会“2023碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼继续在深圳举行，第二天的活动主题是 “SiC & GaN应用创新峰会”。

大会现场，围绕SiC和GaN两大行业焦点，英飞凌、罗姆、意法半导体、安森美、三菱电机、基本半导体、飞锃半导体、芯联动力、京东方华灿光电、安世半导体、Power Integrations、爱发科、南方半导体等13家国内外头部厂商带来最新的研究成果，与在场人士一同探究第三代半导体行业的发展趋势。

与此同时，来自英诺赛科、镓未来、致能科技、聚能创芯、京东方华灿光电、氮矽科技、量芯微等多位资深行家在圆桌论坛上展开深入探讨。

此外，《2023氮化镓（GaN）产业调研白皮书》宣告正式发布。

直击现场

致辞

行家说CEO 蔡建东

大会上午，由行家说CEO蔡建东担任主持，并作了开场致辞。他表示，氮化镓的应用领域正从手机快充快速向数据中心、通信电源、光伏逆变器及电动车领域扩展，氮化镓器件向市场证明了其优越的性能及带来的体积和成本优势，其可靠性也逐步被市场所认可。

英飞凌

电源与传感系统事业部大中华区应用市场总监 卢柱强

宽禁带技术赋能创新

基于氮化镓的业务布局，英飞凌电源与传感系统事业部大中华区应用市场总监卢柱强带来了《英飞凌全新氮化镓系列解决方案》。据介绍，在收购GaN Systems后，英飞凌对旗下氮化镓技术方案进行了优化整合。未来，英飞凌能为市场提供高度可靠的GaN HEMT 晶体管、GaN EiceDRIVER™ IC、CoolGaN™ 集成式功率级 (IPS)等创新型氮化镓技术解决方案，可以根据客户的不同应用场景，提供高效的功率转换，并降低运营成本。

京东方华灿光电

氮化镓电力电子研发总监 邱绍谚

氮化镓功率器件应用、创新、发展方向

作为氮化镓IDM领域的杰出玩家，华灿氮化镓光电电力电子研发总监邱绍谚博士向大家介绍了《氮化功率器件应用、创新、发展方向》。目前，氮化镓电力电子器件是华灿的布局重点，在自有外延方面，华灿已初步完成650VGaN on Si for D-mode＆E-mode的外延片研发和流片，在器件方面，完成了650V GaN产品的小批量出样和测试。邱绍谚博士认为，随着市场扩大，氮化镓器件需要横向+纵向拓展，才能加速产品布局。

安世半导体

氮化镓首席应用工程师 于乐

GaN助力汽车加速向新能源时代迈进

针对GaN在新能源汽车领域的应用，安世半导体氮化镓首席应用工程师于乐带来《GaN助力汽车加速向新能源时代迈进》的主题报告。与市面传统解决方案不同的是，车规级氮化镓更具有优越性。根据氮化镓在汽车用户上的使用经验分享，以及安世半导体的研究分析，于乐认为氮化镓车载充电器等解决方案更适配于新能源汽车的实际应用，未来氮化镓将是车规级半导体的重要突破口。

Power Integrations

资深技术培训经理 阎金光

1250V氮化镓IC的质量、可靠性及性能优势

Power Integrations旗下拥有适用于家电、工业及汽车应用的InnoSwitch3-EP系列产品，并在今年发布了1250V氮化器件。于此，PI资深技术培训经理阎金光介绍了《1250V氨化镓IC的质量、可靠性及性能优势》。据悉，在更高电压应用方面，氮化镓开关在能效和成本方面逐渐追赶上了碳化硅，针对氮化镓在高于家用市电供电设备所需电压水平的应用方面，阎金光利用具体的图表和实验数据，充分展现出氮化镓IC的优缺点，并在现场提供了详细的分析判断。

罗姆

高级经理 苏勇锦

ROHM三代半(EcoGaN+SiC)赋能新能源市场

新能源市场已经成为SiC、GaN的风口，对此，罗姆高级经理苏勇锦在现场讲解了《ROHM三代半(EcoGaN+SiC) 赋能新能源市场》的技术方案。据悉，基于新能源汽车等领域的特殊需求，罗姆提出了ROHM ESS系统解决方案，其中EcoGaN™系列器件能更大程度地发挥GaN的性能，有助于应用产品进一步降低功耗，而Gen4 SiC-MOSFET则瞄准车载充电器领域，能发挥功效优势。

会上，行家说三代半重磅发布了《2023氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，欢迎大家订阅：

行家说三代半研究总监张文灵作了白皮书成果概述。他盘点了2023 年GaN 功率半导体趋势与大事件，并提到GaN 器件继续在PD快充等消费类领域得到爆发性应用，“基本盘”得以巩固和扩大；此外，GaN也进入技术创新爆发期，各种新技术、新产品层出不穷。未来，要实现GaN技术的规模化应用，需要产业链上下游玩家更加密切的合作交流。

参编单位授权仪式

在现场，还举办了白皮书参编单位授证仪式，本次白皮书的调研撰写，得到了以下单位的合作支持：

A、B级参编单位

能华微电子、国星光电、京东方华灿光电、致能科技、北方华创、聚能创芯

圆桌论坛：

GaN产业机遇与突围

大会还开设了《GaN功率半导体的产业机遇与协同》圆桌论坛，由行家说三代半研究总监张文灵先生担任主持，特别邀请了聚能创芯总经理袁理、英诺赛科产品应用副总陈钰林、镓未来副总裁胡宗波、致能科技副总王乐知、氮矽科技GaN HEMT器件设计总监朱仁强、京东方华灿研发总监邱绍谚、量芯微市场总监赵友谊等一众大咖，聚焦GaN功率半导体产业的纵深推进和横向发展，围绕国内厂商在未来发展中的机遇和挑战，在现场展开了一场别开生面的思想交流与碰撞。

主持人

姜南

大会下午，由碳化硅资深行业专家——能芯半导体总经理姜南担任主持。

意法半导体

技术市场经理 郭久杨

宽禁带技术赋能创新

结合宽禁带半导体特点和市场应用趋势，意法半导体技术市场经理郭久杨带来《宽禁带技术赋能创新》的分享。据介绍，意法半导体的SiC和GaN产品已经为新能源等新兴领域成功提供了可持续的解决方案，旗下碳化硅 MOSFET、高压GaN转换器、STPOWER氨化家晶体管等产品，在汽车领域适用于高效电动车辆板上充电器、低压下的轻度混合DC-DC转换器等场景。他认为，未来新能源汽车领域与半导体技术的联系将愈发紧密。

基本半导体

工业业务部总监 杨同礼

国产第二代碳化硅MOSFET在新能源市场的应用

目前，碳化硅MOSFET国产化及其应用是行业的大热点，基本半导体工业业务部总监杨同礼为此带来《国产第二代碳化硅MOSFET在新能源市场的应用》。因为新能源汽车领域的广泛需求，越来越来的企业将国产碳化硅MOSFET提上了议程。基本半导体率先研发的第二代碳化硅MOSFET基于6英寸晶圆平台开发，在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现出色，已经应用于光储、充电桩、新能源汽车等领域，而国产碳化硅MOSFET功率模块也实现了生产验证。

飞程半导体

产品市场副总监 袁建

国产碳化硅器件在新能源市场的应用与展望

针对新能源市场的现状及发展，飞程半导体产品市场副总监袁建也讲解了《国产碳化硅器件在新能源市场的应用与展望》。随着“双碳”政策加速，新能源汽车行业飞速发展，碳化硅器件已经炙手可热。目前国产碳化硅器件虽然取得了一定进展，但在高端应用、生产成本等方面也遭遇了一些难题，袁建认为，打破困局，关键在于给研发创新提速，飞程半导体自我研发的碳化硅二极管、MOSFET等工艺，对标国际前沿，已经为新能源汽车、直流充电桩等领域实现高效可靠发展提供保障。

爱发科

市场战略中心中心长 王禹

ULVAC集团面向化合物半导体的解决方案

作为着名设备厂商，爱发科市场战略中心中心长王禹此次带来《ULVAC集团面向化合物半导体的解决方案》。据介绍，随着碳化硅半导体的需求激增，解决后端生产工艺成为发展要点。爱发科为碳化硅功率器件打造了沟槽构造、沟槽刻蚀、离子注入工艺等设备解决方案，为生产厂商提供可信赖的技术支撑。此外，未来随着智能社会的到来，半导体技术也将不断改革创新，爱发科将持续关注市场需求，不断推出新的优化方案。

芯联动力

市场销售负责人 朱纪伟

SiC机遇及挑战

车规级SiC功率半导体，是新能源汽车领域的新热玩家。为此，芯联动力市场销售负责人朱纪伟带来《SiC机遇及挑战》。朱纪伟介绍，新能源汽车赛道目前竞争加剧，电动化、智能化等趋势成为主流。车规级SiC器件是机遇也是挑战，广大厂商在追逐行业潮流的同时，更要注重自身技术的打磨，才能为发展提供有力支撑。据悉，芯联动力目前是国内少数能够实现大规模车规级碳化硅MOS产品量产的公司，集成车规产品已覆盖国内超过90%的新能源汽车终端客户。

南方半导体

检测工程师 吴碧华

SiC功率模块可靠性测试

针对SiC功率模块测试现状及相关标准解读，南方半导体检测工程师吴碧华详解了《SiC功率模块可靠性测试》。可靠性测试是验证SiC功率器件寿命的重要手段，除了AEC-Q101车规级认证外，很多厂商还会采用AQG324的加严测试项目H3TRB来测试其长期稳定性。为了能实现统一明确的测试目的，南方半导体从性能、场景模拟等角度为SiC功率模块测试设置了标准，并建立起广东省首个“第三代半导体车规级功率器件检测分析”服务平台，为相关测试提供高效保障。

安森美

碳化硅技术支持专家-牛嘉浩

SiC材料：从“挑战”走向“可靠”

纵观碳化硅技术的成长变迁，安森美碳化硅技术支持专家牛嘉浩分享了《SiC材料：从“挑战”走向“可靠”》的主题演讲。回顾从Si到SiC的进程，牛嘉浩重点讲解碳化硅从首次设计到量产的工艺，还有不同领域间的互动共研，如研发设计、生产监控、制造控制等环节。如今，安森美已积累多年的SiC工艺经验，并拥有完整的碳化硅端到端供应链，可实现对车载充电机、主驱、能储等诸多行业需求的供应。

三菱电机

项目经理-张远程

三菱电机SiC功率芯片和功率模块的最新技术

聚焦SiC的创新工艺，三菱电机项目经理张远程分享了《SiC功率芯片和功率模块的最新技术》。会上，三菱电机分享了其采用集成SBD的SiC-MOSFET模块新品、沟槽栅技术及高压SiC模块的进展；介绍了其在家电及工业的封装技术概况。此外，三菱正在开发下一代电动汽车专用功率模块，分别采用SiC MOSFET和RC-IGBT芯片技术，将拥有1300V和750V两个电压等级。

直击现场更多精彩：

为期两天，产业链上下游企业代表集聚此地，不仅探讨了SiC、GaN的发展现状，还看到了行业更多更好的可能。

相信在众多SiC & GaN企业的努力下，各种新能源应用将不断落地、不断增多，打造出更加清洁、更加高效、更加友好的社会环境，让我们一同拭目以待！

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