近日，国内外有3家企业在8寸GaN领域有所布局：

● IQE＋VisIC：合作开发8英寸D型GaN功率外延片，加速硅基氮化镓技术在电动汽车中的应用。

● 台亚半导体：8英寸氮化镓产线有望在年底前完成置备，目标月产能3000片。

据“行家说三代半”不完全统计，三星、英飞凌及东芝等多家企业在8寸GaN领域早有布局，详情请往下看。

IQE＋VisIC；台亚

加速布局8寸GaN

就在昨天，IQE、VisIC及台亚半导体同时对外宣布了他们布局8寸GaN的新进度：

● IQE＋VisIC：合作开发8英寸D型GaN功率外延片

9月19日，IQE官网宣布，他们已与VisIC Technologies建立战略合作，将共同开发用于电动汽车逆变器的8英寸氮化镓D型（D-Mode GaN）功率产品。

据介绍，两家公司此次合作旨在加快硅基氮化镓技术在电动汽车中的应用。VisIC Technologies 拥有开创性的 D3GaN 技术，该技术有望降低功耗、提高可靠性并增强电动汽车的性能。该外延片将在 IQE 的英国工厂开发，以充分利用 IQE 在氮化镓技术方面的成熟专业知识。

IQE预计，到2027年，氮化镓功率外延片市场的价值将达到6.32亿美元（约46.13亿人民币）。

● 台亚半导体：预计年底前完成8寸GaN产线的建置

9月19日，据台媒报道，台亚半导体在第三代半导体领域的布局也已有初步成果，2024年的效益应会更加明显。

值得一提的是，台亚还披露了他们8英寸GaN的建设进程——8英寸GaN英寸产线有望于2023年底前完成置备，并开发E-mode 650V HEMT功率组件，聚焦于3C快充、云端信息存储中心、电动车、无人机市场，目标设定在2024年底前达成每月3000片的出货量。

目前，台亚氮化镓初期产能建置以6英寸晶圆为主，现已完成第一颗650V D-mode HEMT开发，并送样客户验证。

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三星、英飞凌、东芝等

盘点8寸GaN布局情况

据“行家说三代半”不完全统计，三星、英飞凌及东芝等多家企业在8寸GaN领域早有布局。

● 多家韩国厂商推进8英寸GaN代工服务商业化

2023年8月，三星电子、DB Hitek（东部高科）和Key Foundry（启方半导体）将从爱思强采购金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备，以进军GaN和SiC芯片制造服务市场。

他们表示，预计在2025年至2026年将8英寸GaN代工服务商业化。目前正处于研究和样品生产阶段，未来的量产需进行大量的设备投资。

● 英诺赛科8寸GaN月产能达15000片

2023年8月，英诺赛科披露，他们基于8英寸硅基氮化镓研发和制造平台，当前产能已达到每月15000片。

此外，他们2023年上半年销售额比去年同期增长500%；截至2023年8月，其氮化镓芯片出货量成功突破3亿颗。

● 三星最高投资超10亿开发8英寸SiC-GaN

2023年3月，韩媒报道称，三星电子正在投资一个8英寸工艺设施用于SiC-GaN的开发，并已经完成了1000亿~2000亿韩元（约5.3亿元~10.6亿元人民币）的投资。

● 东部高科、Sigetronics合作开发8寸GaN

2022年7月，Sigetronics宣布联手韩国东部高科（DB HiTek），基于6英寸互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容的 GaN 功率半导体技术，共同开发8英寸硅基GaN技术。

据悉，该项目投资金额达68亿韩元（约3504万元人民币），目标是2023年量产氮化镓功率器件，2026年量产GaN功率IC。

● BelGaN计划改造6/8英寸GaN器件代工厂

2022年2月，BelGaN收购了安森美的比利时奥德纳尔德 6 英寸晶圆厂，计划改造成6英寸和8英寸的氮化镓功率器件代工厂。

今年8月，他们已经将其第一代 650V eGaN技术投入生产，并且其Gen1 技术预计将达到世界领先性能。

● 东芝投资55亿扩产8寸GaN/SiC

2022年2月，东芝宣布，将投资55亿用于功率器件扩产，其中包括建设8英寸的碳化硅和氮化镓生产线。

据东芝器件与存储总裁佐藤裕之介绍，2021-2025年他们将投资约2600亿日元（约143亿人民币）用于扩产，其中未来5年将投资1000亿日元（约55亿人民币），届时硅功率半导体的产能将是2020年的1.7倍，还将计划建设8英寸化合物半导体生产线，重点开发 SiC和 GaN器件。

● IVWorks获融资，用于扩大8英寸氮化镓外延片产能

据了解，IVWorks截止目前为止已完成多轮融资，其中该企业于2021年11月完成了1740万美元（约1.1亿人民币）C轮融资，资金将用于扩大8英寸氮化镓外延片产能等。

● 英飞凌、松下生产8英寸硅基GaN器件

2021年9月，英飞凌宣布与松下达成合作，共同开发和生产第二代（Gen2）GaN技术，该技术可以提供更高的效率和功率密度水平。

据介绍，Gen2 GaN具备出色的性能和可靠性，而且已经实现了8英寸硅基GaN晶圆生产能力，性价比更高。英飞凌将利用Gen2开发650 V GaN HEMT，计划于2023年上半年投放市场。

● imec实现8寸硅基GaN新突破

2021年4月，imec 宣布和 AIXTRON 实现了在8英寸硅衬底上外延生长了符合1200V应用要求的氮化镓缓冲层，而且硬击穿超过1800V。

● 意法半导体推出8英寸600V GaN器件

2020年，意法半导体成功收购Exagan，并推出了8英寸600V GaN器件。

白皮书参编申请

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