今年以来，安徽、上海、浙江、陕西等地纷纷开展第三代半导体项目扶持计划，部分省市还采用“揭榜挂帅”的方式，以重点突破关键共性技术，合计共有10个SiC/GaN相关项目入选。

安徽3个SiC揭榜任务

有望获得1000万资助

7月7日，安徽省经济和信息化厅发布《关于组织开展制造业重点领域补短板产品和关键技术攻关揭榜工作的通知》，发布了若干个揭榜任务，当中包含3个SiC相关项目：

●8寸SiC技术攻关项目，要求晶片厚度达到550＋50μm；4H晶型100%；使用面积＞90%。

●新能源汽车主驱SiC MOSFET芯片国产化项目，要求产品电压应为1200V，且需通过车规级AEC-Q101可靠性认证。

●银烧结碳化硅模块开发项目，要求产品直通率要求≥90%。

参考安徽省2022年“揭榜挂帅”榜单任务的支持方式，对成功揭榜并立项的项目，由省财政采取无偿资助方式，给予发榜方最高1000万元/项配套支持。

上海：

公布3个SiC资助项目

5月初，上海临港新片区及青浦区分别公示了资助项目（拟）立项名单，涉及3个碳化硅相关项目。

●临港新片区

5月5日，临港新片区公示2022年第二批高新产业和科技创新专项项目立项名单，确定35个项目予以立项支持。

其中，碳化硅相关项目包括：上海天岳半导体材料有限公司主导的“高质量导电型SiC晶体生长及高效衬底加工技术开发”，以及上海沛塬电子有限公司主导的“3D集成第三代半导体功率模组IPM研发”。

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●青浦区院士(专家)工作站

5月5日，青浦区院士(专家)工作站公示资助项目拟立项名单，拟资助项目共21个，其中涉及一个SiC相关项目——碳化硅衬底粗抛液中氧化铝磨料底精细可控制备。

该项目由上海映智研磨材料有限公司承建，该企业成立于2013年10月，专注于研发、生产以及销售相关研磨材料。

浙江、四川：

资助GaN项目

今年4月，浙江与四川各自批量了GaN支持项目。

●浙江：GaN激光雷达项目

4月25日，浙江海宁市科学技术局公示了2023年协同创新项目拟立项清单，拟对24个项目予以立项，其中包括一个GaN项目。

氮化镓高功率窄脉宽激光雷达驱动芯片项目由浙江海科电子科技有限公司与海宁先进半导体与智能技术研究院共同执行，项目于2023年3月1日开始，2025年3月31日结束。

企查查显示，海科电子成立于2018年11月，主营电子芯片的设计、流片、封装与技术服务等。

●四川：GaN快充项目

4月20日，四川省公示了省级工业发展专项资金拟支持项目名单，其中包括一个GaN快充项目。

根据公告，该项目名称为“氮化镓充电器技术研发和创新平台建设“，由达州市天宝锦湖电子有限公司主导建设。该公司成立于2018年12月，是专业配套制造电源充电器制造商，目前正在筹备上市挂牌。

陕西：

公示2个SiC/GaN揭榜项目

4月23日，陕西省工业和信息化厅宣布，他们遴选出67个2023年度重点产业链关键核心技术产业化“揭榜挂帅”拟支持项目，当中包括2个SiC/GaN项目：

●大尺寸高质量Si基GaN薄膜材料及异质结构外延生长研究项目，由陕西半导体先导技术中心有限公司建设。

该公司成立于2017年5月，致力于推动先进半导体器件和第三代半导体产业创新，目前已经量产4款产品，具备650V-1700V SBD芯片和器件全系列产品的研发能力。

●汽车级高功率密度塑封IGBT/SiC mosfet功率模块封装技术项目，由华羿微电子股份有限公司主导。

该公司成立于2017年6月，是华天电子集团旗下专业从事半导体功率器件研发设计、封测和销售的高新技术企业。

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