昨天，罗姆又宣布了一件大事——将在日本扩建第3个SiC晶圆厂，而且是8英寸工厂，预计产能将是罗姆2021年总产能的28.5倍！

罗姆是现阶段SiC MOSFET登陆主驱的6大主流厂商之一，他们的大幅扩产侧面也反映了未来的市场需求强烈程度，而且除了罗姆外，Wolfspeed、博世、英飞凌、意法以及安森美等其他5家厂商也在扩建SiC晶圆厂，详情请看文末彩蛋。

罗姆建第3个SiC晶圆厂

产能将扩充28.5倍

7月12日，罗姆官网宣布，他们正在着手建设第3个SiC晶圆厂。

根据公告，罗姆透过子公司Lapis半导体，与Solar Frontier达成基本协议，将收购Solar Frontier的宫崎县国富工厂资产，并将该工厂改造为8英寸SiC晶圆制造工厂，以扩大产能。

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据悉，原国富工厂占地面积约40万平方米，收购完成后，其中约11.5万平方米用于改造为SiC生产大楼，该收购预计将于2023年10月生效。

对于此次收购，罗姆表示，利用现有建筑物和洁净室，该工厂可以实现超快速生产启动，预计将于2024年底开始运营投产。罗姆目标是到2030财年，SiC产能与2021财年相比将增加35倍。

新工厂概要

截至目前，罗姆在日本福冈、宫崎两县建成了2个SiC制造基地：

● 福冈县筑后阿波罗工厂：2022年6月，该工厂举行了生产大楼开工仪式，生产大楼的扩建投资约200亿日元（约10亿人民币）；同年12月开始量产SiC功率半导体。这将是一座6寸&8寸兼容的SiC晶圆厂。

● Lapis 清武町工厂：2021年1月，该工厂举行了竣工仪式并开始安装生产设备，同年开始批量生产第四代SiC MOSFET。

罗姆3个碳化硅晶圆厂（粉色框）

罗姆表示，2025年度筑后厂+清武町厂的SiC功率半导体月产能(折合6英寸)将提高至2021财年的6.5倍；而到了2030年，加上国富新工厂后，罗姆的SiC器件总产能将进一步扩增至2021财年的35倍。

也就说，从2025-2030年，国富新工厂的SiC产能将逐步扩大到2021财年的28.5倍。

SiC业务产能扩张计划

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Wolfspeed、英飞凌等

扩建SiC晶圆厂盘点

除了罗姆外，其他5家主驱SiC MOSFET厂商也在扩充，“行家说三代半”将带大家回顾Wolfspeed、博世、英飞凌、意法以及安森美的扩产历程。

● 英飞凌马来西亚工厂

2022年2月，英飞凌宣布将投资超过20亿欧元（合计约144亿人民币）扩大SiC 和 GaN半导体的产能，他们将在其马来西亚居林工厂建造第三个厂区，同年6月开始建造、7月宣布奠基。

该厂区主要涉及外延工艺和晶圆切割等关键工艺，将显着扩大碳化硅和氮化镓产能，首批晶圆计划将于2024年下半年开始出货。

● 安森美韩国工厂

2022年7月，安森美宣布在韩国京畿道富川市投资10亿美元（约67亿人民币），用于建设一个碳化硅研究中心及制造工厂。

据悉，该工厂还吸引了特斯拉的投资，将为其生产车规碳化硅。预计到2025年，该生产线SiC半导体产能将扩大到目前的10倍以上。

● Wolfspeed德国8寸工厂

今年2月，Wolfspeed宣布将投资20亿欧元（约合人民币148亿元）在德国萨尔州建造全球最大的200mm碳化硅晶圆工厂（ZF将拥有该工厂的少数股权），这是Wolfspeed 65亿美元全球产能扩张计划的一部分，也将是他们在欧洲的首座工厂，届时SiC材料产能10倍以上。

● 博世美国8寸工厂

4月26日，博世官网宣布，他们将收购美国芯片制造商TSI半导体公司的资产；此次收购完成后，他们未来几年还将投资15亿美元（约合人民币104亿元），升级TSI半导体在加州Roseville的生产设施，并计划从2026年开始在8寸晶圆上生产碳化硅器件。

● 意法＋三安重庆工厂

6月7日，意法半导体和三安光电宣布，双方已签署协议，将在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。

该合资厂全部建设总额预计约达32亿美元（约228.2亿人民币），其中未来5年的资本支出约为24亿美元，资金来源包括意法半导体和三安光电的资金投入、重庆政府的支持以及由合资企业向外贷款。

签约当天，该工厂已举行了奠基仪式。

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