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近日，国内一个氮化镓项目公布新进展，预计投产后年产10万片2英寸氮化镓单晶衬底。

总投资15亿元

年产10万片GaN衬底

3月13日，济宁国家高新技术产业开发区公示了山东加睿晶欣年产10万片2英寸氮化镓单晶衬底项目环评表。

该GaN项目于2019年3月开工建设，总投资15亿元，总建筑面积10.1万平米，建设涵盖生产车间、研发中心、检测等全系列产业链的标准化园区。

根据公告，该项目一期将购置晶体生长炉、大型多线切割机、自动倒角机等先进设备266台（套），形成长晶、切割、抛光、激光剥离等全链条生产线，年生产2英寸氮化镓单晶衬底10万片。

GaN单晶衬底项目

国产进程大盘点

据《2022氮化镓功率与射频产业调研白皮书》，截至目前国内还有7个氮化镓单晶衬底项目。

● 纳维项目

2021年1月，纳维科技总部大楼建设项目在苏州工业园区正式奠基；2022年8月10日，该总部大楼已顺利完成封顶，完全投产后预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片以上。

● 镓特项目

2022年8月，镓特宣布将在9月将公司总部从上海搬迁至安徽铜陵，届时面积达1.7万㎡ 的铜陵新工厂将成为 GaN 晶圆生产和研发的场所。该工厂将安装氮化镓单晶生产全过程的相关设备，包括用于 GaN 生长的 HVPE 和用于 GaN 晶圆的抛光设备，完全建成后的月产能将超过数千片晶圆。

● 稼数项目

2022年6月，安徽镓数公示了其氮化镓单晶衬底项目的环评表。据悉，该项目将分3期建设，一期建设10条氮化镓单晶衬底生产线，二期建设20条氮化镓单晶衬底生产线，三期建设30条氮化镓单晶衬底生产线，三期完全达产后将形成年产18万片2英寸氮化镓单晶衬底的生产能力。

● 吴越项目

2021年12月，吴越半导体举行了GaN晶体出片仪式，展出了全球范围内首次厚度突破 1 厘米的氮化镓晶体，该晶体平整度达到1-2um，粗糙度达到0.12nm，达到了世界最高水准。

2020年2月，吴越半导体、先导集团与高新区管委会签订合作协议，在无锡高新区实施 2-6 英寸氮化镓自支撑单晶衬底产业化项目，该项目总投资37亿元，主要进行2-6英寸氮化镓自支撑单晶衬底及GaN-On-GaN功率芯片、射频芯片的研发和生产。

● 中稼项目

2021年9月，东莞增补了61个2021年第三批市重大项目，其中包括广东光大的氮化镓项目，总投资额高达44亿元。今年4月，该项目举行了开工仪式，项目主要建设内容为精密半导体设备制造、氮化镓衬底生产线、氮化镓器件生产线等；建成后将生产2-4英寸氮化镓衬底、2-6英寸GaN on GaN/Si器件。

此外，广东光大子公司也有相关进展——2018年2月，东莞中镓半导体宣布，在国内首次试产4英寸自支撑GaN衬底，并计划于同年年底实现常规量产。

● 瀚镓项目

2021年8月，根据《瀚镓GaN自支撑晶圆制造关键技术研发与产业化》项目的环评公示，上海瀚镓半导体科技有限公司将在上海市浦东新区建设“4英寸GaN高质量自支撑晶圆的研发及中试”。

● 中科项目

2021年8月，深圳市中科半导体科技有限公司“氮化镓外延片材料和氮化镓单晶衬底材料的研发生产项目”正式签约落户于赣州经开区，总投资金额为2亿元。

注：本文来源地方政府及企业官网，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。

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