在氮化镓领域中，英诺赛科创下了多个“第一”：

2017年11月，其自主研发的中国第一条8英寸硅基氮化镓生产线在珠海通线投产；

英诺赛科被国家四部委列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业，其苏州8英寸硅基氮化镓工厂是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目；

2022年，GaN HEMT器件出货量率先突破1亿颗；

在国内第一个将低压GaN器件应用在激光雷达中；

全球首个将氮化镓植入手机内部，实现电源分配管理。

在过去的2022年，英诺赛科还有哪些创举？2023年他们还有哪些布局？2023年1月5日，英诺赛科产品应用副总陈钰林将出席“全球第三代半导体产业发展高峰论坛”，届时将带来《氮化镓的市场进展与应用趋势》的主题报告，分享更多英诺赛科氮化镓的进展以及技术解决方案。

GaN的应用领域不断得到扩展，氮化镓凭借其优异的特性，在消费、数据中心、自动驾驶等多个领域逐步“站稳脚跟”。英诺赛科作为全球领先的氮化镓IDM企业，旨在通过此次技术分享，携手各位行家不断创新，引领行业构建氮化镓“芯”生态。

演讲嘉宾

英诺赛科产品应用副总

陈钰林先生

嘉宾介绍

陈钰林先生，英诺赛科产品应用副总

曾供职于美国EPC公司7年，属于国内第一批推广氮化镓的技术人才，拥有17年电力电子半导体行业经验和11年氮化镓器件应用及市场推广经验。在氮化镓技术与应用等方面有着丰富的经验和敏锐的市场洞察力，已与国内多家重大客户建立了深入的合作伙伴关系。

企业介绍

英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析、销售支持与应用于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。公司的主要产品涵盖从低压到高压（30V-700V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。

英诺赛科已在激光雷达、数据中心、手机电池管理、通讯、高效快速充电、车载充电器、LED 照明驱动等方面发布产品方案，并与国内多家应用头部企业开展深度合作，实现量产。英诺赛科作为技术全球领先的第三代半导体公司，在8英寸硅基氮化镓核心技术和关键工艺领域已实现重大突破。

大会介绍

“2022行家说三代半年会”

全球第三代半导体产业发展高峰论坛暨行家极光奖颁奖典礼

2023年1月5日

主办单位：行家说三代半、行家说Research

承办单位：行家信息科技、行家拓扑数据、行家芯网科技

会议地点：深圳（宝安区）国际会展中心皇冠假日酒店

会展湾宴会厅（负一楼）

本次大会着眼于促进碳化硅、氮化镓产业的技术转型升级和生态链持续改善，通过聚集全球领先企业精英，探讨产业的最新技术、应用经验与发展趋势，整合产业加快产业变革进程，共同探索全球低碳经济高质量发展的有效路径。

除了英诺赛科外，英飞凌、安森美、赛米控、罗姆、飞锃半导体APS、烁科晶体、南方半导体、X-FAB、芯聚能等知名企业也将带来重磅演讲，相关议题如下：

*以上为拟定议程，行家说保留解释权和议程变更的权利

此外，烁科晶体、英诺赛科、合盛硅业、飞锃半导体APS、爱发科、中材航特、千叶净化、中科同志、南方半导体、华卓精科等众多企业还将在展示最新技术和产品方案，敬请期待！

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