行家说消息  6 月 20 日，英诺赛科宣布已聘请恩智浦前高管 Jan Sonsky 担任工程副总裁。Sonsky 之前在 恩智浦NXP Semiconductors 工作了 19 年，担任 NXP 氮化镓战略背后的高级工程师，并升任模拟和电源技术总监一职。

Sonsky 现在将领导位于比利时鲁汶的新成立的英诺赛科GaN 研发中心，与位于中国苏州的英诺赛科总部的公司研发团队合作，领导下一代技术的开发。

英诺赛科成立于 2015 年 12 月，是全球最大的 GaN-on-Si 功率晶体管制造商，于 2017 年 11 月在珠海开设了第一家用于 GaN-on-Si 生产的 200 毫米晶圆厂，并于 2020 年 9 月在苏州开设了第二家晶圆厂。目前的产能为每月 10,000 片 8 英寸晶圆，今年将增加到 14,000 ，到 2025 年每月生产 70,000 片 8 英寸晶圆。

Sonsky 在半导体行业拥有 20 年的研发经验。此前，他为 NXP Semiconductor 的移动和汽车应用贡献，并推动了 GaN 和硅技术的开发。

英诺赛科的研发中心靠近研究机构 IMEC 和 KU Leuven，是所谓的“GaN Valley”的最新成员。

英诺赛科Europe 总经理 Denis Marcon 表示：“我们的设备已经在低压（30V 至 150V）和高压（650V）额定值下提供了出色的性能。我们希望新的研发中心能够提供更好的性能、更小的尺寸和超高的可靠性。”