行家说消息  6 月 8 日，Veeco宣布，台湾半导体研究院、国家应用研究实验室（TSRI、Narlabs）已选择 Veeco 的 Propel® 研发金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 系统进行高级开发和与氮化镓 (GaN) 基功率和射频器件相关的合作。单晶片 Propel 平台非常适合大批量制造和 300 毫米产能以及研发应用。该 Propel 研发系统已安装在 TSRI 的台湾新竹实验室。它支持共同努力推动技术创新，并在新兴 GaN 市场开发和展示技术能力。

“Veeco 的 Propel 研发系统具有独特的资质，可提供进行功率和射频设备高级开发所需的性能和灵活性，”TSRI 研究员、副总干事沉昌宏博士评论道。“我们很高兴在我们的设施中运行这个研发系统，并期待在未来几年内得到 Veeco 团队的支持。”

Veeco 的 Propel GaN MOCVD 系统专为电源和射频应用而设计。该系统采用单晶片反应器平台，可沉积高质量的 GaN 薄膜，用于生产高效功率和射频器件。单晶圆反应器基于 Veeco 的 TurboDisc® 技术，包括 IsoFlange™ 和 SymmHeat™ 突破性技术，可在整个晶圆上提供均匀的层流和均匀的温度分布。

“我们很高兴我们的 MOCVD 系统被 TSRI 选中，以帮助他们开发先进的电源和射频应用，”产品线管理高级副总裁 Adrian Devasahayam 博士说。“我们现在在 TSRI 的设施中安装了多种技术，我们期待帮助他们最大限度地发挥我们平台的价值和技术合作的机会。”