行家说消息    2022 年 3 月 30 日 ，Power Master Semiconductor宣布，作为韩国半导体公司首次推出1200V SiC MOSFET，与现有的硅解决方案IGBT相比，降低了功率损耗。

此次推出的产品是专门针对功率密度、能源效率和可靠性很重要的工业应用的高效版本，例如太阳能逆变器、电动汽车充电器和不间断电源设备。该公司首发1200V、80mΩ、PCW120N80M1产品。未来计划推出5款20~90mΩ的产品，分别为表面贴装型和通孔型封装型。下半年，他们还将发布专门针对电动汽车驱动逆变器的高可靠性版本。

与硅解决方案 IGBT 相比，PCW120N80M1 通过降低输入/输出电容和栅极输入电荷，显着降低了关断开关损耗和开关时间。在品质因数 (FOM:RDS(on) x Qg) 中，它确保了与 SiC MOSFET 领先公司英飞凌和 Wolfspeed 相媲美的特性，并在器件效率评估中显示出世界最高水平。结合低传导和开关损耗以及极低的漏电流，可以简化热管理。从开发人员的角度来看，可以指定更小的外部组件，例如无源组件和冷却器，并在减小尺寸、重量和制造成本的同时开发可靠的应用程序。

这次发布的产品将在其位于忠清北道清州的 SiC 6 英寸生产线上量产。

Power Master Semiconductor 将 1200V SiC MOSFET 商业化

另一方面，Power Master Semiconductor是2018年集结前飞兆半导体大功率事业部部长金泰勋共事的骨干人才成立的功率半导体公司。他们已建成韩国唯一的硅8英寸和碳化硅6英寸功率半导体晶圆厂，并于2020年推出具有世界级单位面积电阻的超结MOSFET。2021年，韩国首次发布了仅由先进功率半导体公司拥有的基于MPS的碳化硅二极管。

该公司高管表示：“我们正在通过与韩国领先的半导体公司合作，扩大国内功率半导体生态系统。”