前段时间，有3家上市公司宣布涉足碳化硅半导体领域（.点这里.），最近，又有2家上市公司公布最新碳化硅项目信息：

● 晶盛机电：最新募投项目去掉了碳化硅项目，该项目原计划投资额超31亿元；

● 新洁能：14.5亿SiC/GaN项目将于今年5月取得建设用地。

晶盛机电：

调出31亿碳化硅项目

3月22日，晶盛机电发布公告，将“碳化硅衬底晶片生产基地项目”从募投项目中调出。

早在2021年10月，晶盛机电宣布募资不超过57亿元，其中约31亿元将用于建设6英寸碳化硅衬底项目，计划建成后实现年产能40万片。

根据最新公告，晶盛机电本次向特定对象发行募集资金总额不超过14.2亿元，去掉了31亿碳化硅募投项目，并相应调减了补充流动资金项目金额。

据“三代半风向”此前报道，该碳化硅衬底项目已于2021年11月15日启动，而且，今年2月10日，晶盛机电董事长曹建伟博士表示，他们碳化硅项目已经完成厂房的整体设计，预计今年3月动工。

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关于碳化硅项目，晶盛机电表示，后续拟使用自有资金及其他融资方式投入，并相应调减了补充流动资金项目金额。

新洁能：

募资14.5亿扩建SiC/GaN 项目

3月22日，无锡新洁能非公开发行股票申请文件反馈意见的回复报告中提到，新洁能本次募投项目的建设用地选址已完成，预计将于今年5月取得约3.2万平方米的项目建设用地。

据了解，新洁能募资近14.5亿元，建设第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化和SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块（含车规级）的研发及产业化等项目。

其中，第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化项目建设周期为两年，主要开发TO系列、DFN系列等不同封测工艺下的SiC MOSFET和GaN HEMT功率器件。项目建成后，将年产2640万只 SiC/GaN 功率器件。

SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块（含车规级）的研发及产业化项目建设周期为三年，主要出PIM模块产品，预计建成后将年产362.6万只 SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块。

新洁能成立于2013年，并于2020年9月在上海证券交易所挂牌交易。据悉，该公司主要采取Fabless的经营模式，专注于从事半导体功率器件的研发与销售。新洁能2021年实现营业收入14.98亿元，同比增长56.89%。

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