TES、中微、爱思强、中晟，四大设备商UVC-LED 产品有何差异？

疫情加速UVC- LED规模商业化发展进程，各类新品和新应用层出不穷,这背后离不开MOCVD先进设备的助力。

据行家说Research联合国星光电、圆融?杰生、至芯半导体、光莆电子、三安光电、升谱光电、华盛光学、鸿利秉一、中科院苏州纳米所、中环照明、傲德光电、镭龙技术、水怡宝、镭通激光、朗明纳斯、MSG Lithoglas、隆达电子、绿达光电、安芯美、华引芯、艾迈斯欧司朗等企业编写的《2021UVC-LED产业调研白皮书》中介绍，对于制备UV外延片的MOCVD而言，技术门槛在于设备的高温耐受力和对预反应的抑制，以及产品均匀性和设备重复性的矛盾，这些都是确保UV LED外延片良率和量产的前提，尤其是UVC-LED，加上MOCVD设备是?周期的供需关系，从下订单到交货，周期一般为6个月-1年，调试1-2个月。因此，目前市场也仅有少数企业能够生产UVC-LED MOCVD设备。

据了解，目前主要厂家有韩国 TES（中国代理-深圳亚半科技）、德国爱思强、中微公司以及中晟光电。主要分为两种类型，一种是由蓝白光 MOCVD设备改装而成，一种是根据深紫外特性制成的 UVC-LED 专用设备。前者的价格虽比后者低约 50%，但是只有个别外延芯片厂能改装成功，且效果不一，该类型 MOCVD 设备典型代表为爱思强的 31 片机改为 19 片机。

来源：2021UVC-LED产业调研白皮书

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而 UVC-LED 专用设备，相比之下具有更加良好的晶体质量，均匀性较好、良品率更高。其中，又分类两种类型， 一种是可提供深紫外 LED 全结构外延的完整配方（recipe），以TES（中国代理 - 深圳亚半科技）为代表，可确保外延成功生长，信赖性佳，适合做中大功率芯片今年3月发布了最新的HESTIA-4G MOCVD；另外一种是可提供基本的铝氮生长配方（recipe），价格相比更诱人。

TES

产品特点:

3x4inch, 14x2inch

适用于AlN外延和深紫外LED（220-350nm）的生长

进气方式：水平式

加热方式：射频加热

操作最高温度：衬底温度可达1400℃以上

独特的腔室和流体力学设计，温场均匀，防止TMAL寄生反应的发生

产品的片内均匀性好，片间，run间一致性和重复性优秀

易于定期保养和维护费用低，易损件寿命长

全自动化传输系统，优化工作效率

行业先进的设备专用标准Recipe，帮助客户实现迅速投产

中微公司

产品特点:

18x2 inch, 4x4 inch

适用于高温氮化铝和深紫外LED生长的关键设备

适合高晶体质量和高AIN生长速率的新颖腔体设计

创新的实时监控系统

工艺温度最高可达1400度，具有优异的温场均匀性和控制稳定性

具有高稳定性、自动化的真空传送系统，抑制颗粒的产生

工艺高重复性， 设备高可靠性，高稼动率;

较长的维护周期，较低的后期维护成本

爱思强

产品特点:

19x2 inch, 7x2 inch, 3x2 inch, 5x4 inch,1x6 inch

近耦合喷淋头CCS反应腔，带有三区加热器

动态工艺高度调节-实现高性能工艺调整

1400度表面温度

Laytec EpiTT、EpiCurveTT实现原位监控

使用AIXTRON ARGUS完整绘制晶片及石磨盘温度

AIXTRON EPISON实现MO浓度检测及控制

中晟光电

产品特点:

9x2 inch, 15x2 inch, 3x4 inch

适合深紫外LED (220nm - 310nm) AIN和AGaN外延生长

生长速率可达AIN≧1.2um/h. AlGaN≧2.5um/h

AlGaN中Al组分生长效率高，浓度分布偏差s0.25%

反应腔温度可达1400C (托盘表面真实温度! ),温度均匀性及稳定性可达≦±1°C

全程实时监测温度、反射率和翘曲率，可远程实时监控量产

单反应腔，自动化传送系统，量产稳定性重复性好

重磅

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