奥趋光电发售2英寸AlN衬底

转型过渡系列第2篇

AlN衬底因为带隙能够达到6.2eV（理论截止边200nm），并且适合外延GaN，是一种优秀的LED器件衬底。9月，奥趋光电正式发售2英寸AlN衬底。衬底参数为：

EPD＜2.3E5/cm2，FWHM＜300；265nm的吸收系数70/cm，结合厚度400um，透过为97%。对比HEXATECH，基本参数是一致的。

相关测试：

参考文献

动态 | 2英寸如约而至，“芯”材料震撼登场 奥趋光电正式发布2英寸高质量氮化铝单晶衬底产品

https://www.hexatechinc.com/aln-wafer-sales.html

https://cisuvc.com/

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